1. статья › научная › Прошло рецензирование
  2. Activation conductivity in HgTe/CdHgTe quantum wells at integer Landau level filling factors: Role of the random potential

    Bovkun, L. S., Ikonnikov, A. V., Aleshkin, V. Y., Krishtopenko, S. S., Antonov, A. V., Spirin, K. E., Mikhailov, N. N., Dvoretsky, S. A. & Gavrilenko, V. I., 1 дек. 2017, в: Semiconductors. 51, 12, стр. 1562-1570 9 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure

    Gudina, S. V., Neverov, V. N., Novik, E. G., Ilchenko, E. V., Harus, G. I., Shelushinina, N. G., Podgornykh, S. M., Yakunin, M. V., Mikhailov, N. N. & Dvoretsky, S. A., 1 апр. 2017, в: Low Temperature Physics. 43, 4, стр. 485-490 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  4. AlInSb/InSb Heterostructures for IR Photodetectors Grown by Molecular-Beam Epitaxy

    Sukhanov, M. A., Bakarov, A. K., Protasov, D. Y. & Zhuravlev, K. S., 1 февр. 2020, в: Technical Physics Letters. 46, 2, стр. 154-157 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  5. AlSb/InAs Heterostructures for Microwave Transistors

    Sukhanov, M. A., Bakarov, A. K. & Zhuravlev, K. S., февр. 2021, в: Technical Physics Letters. 47, 2, стр. 139-142 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  6. A method for fabricating the ordered arrays of silicon nanopillars

    Basalaeva, L. S., Nastaushev, Y. V. & Dultsev, F. N., 1 янв. 2017, в: Materials Today: Proceedings. 4, 11, стр. 11341-11345 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  7. Analysis of the surface functional groups of organic nanoparticles formed in furfural vapour photonucleation using a rupture event scanning technique

    Dultseva, G. G., Dubtsov, S. N., Dultsev, F. N., Kobzeva, T. V. & Nekrasov, D. V., 28 сент. 2017, в: Analytical Methods. 9, 36, стр. 5348-5355 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  8. An Instrument for Highly Specific Detection of Biomarkers on a Quartz Resonator

    Dultsev, F. N., Nekrasov, D. V., Kolosovsky, E. A., Gusachenko, A. V., Moiseev, A. A. & Vasilev, V. V., 1 янв. 2019, в: Instruments and Experimental Techniques. 62, 1, стр. 78-84 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  9. Anisotropy of the in-plane g-factor of electrons in HgTe quantum wells

    Minkov, G. M., Ya Aleshkin, V., Rut, O. E., Sherstobitov, A. A., Dvoretski, S. A., Mikhailov, N. N. & Germanenko, A. V., 15 февр. 2020, в: Physical Review B. 101, 8, 9 стр., 085305.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  10. Anomalous Decay of Quantum Resistance Oscillations of 2D Helical Electrons in Magnetic Field

    Abedi, S., Vitkalov, S. A., Mikhailov, N. N. & Kvon, Z. D., 12 мая 2020, в: Scientific Reports. 10, 1, 14 стр., 7875.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  11. A QCM-based rupture event scanning technique as a simple and reliable approach to study the kinetics of DNA duplex dissociation

    Kurus, N. N., Dultsev, F. N., Golyshev, V. M., Nekrasov, D. V., Pyshnyi, D. V. & Lomzov, A. A., 14 авг. 2020, в: Analytical Methods. 12, 30, стр. 3771-3777 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  12. Atomic and electronic structure of ferroelectric La-doped HfO2 films

    Perevalov, T. V., Gutakovskii, A. K., Kruchinin, V. N., Gritsenko, V. A. & Prosvirin, I. P., 1 мар. 2019, в: Materials Research Express. 6, 3, 7 стр., 036403.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  13. Atomic and Electronic Structures of Intrinsic Defects in Ta2O5: Ab Initio Simulation

    Perevalov, T. V., Islamov, D. R. & Chernykh, I. G., 1 июн. 2018, в: JETP Letters. 107, 12, стр. 761-765 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  14. Atomic and Electronic Structures of Metal-Rich Noncentrosymmetric ZrOx

    Gritsenko, V. A., Perevalov, T. V., Volodin, V. A., Kruchinin, V. N., Gerasimova, A. K. & Prosvirin, I. P., 1 авг. 2018, в: JETP Letters. 108, 4, стр. 226-230 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  15. Atomic and electronic structures of the native defects responsible for the resistive effect in HfO2: ab initio simulations

    Perevalov, T. V. & Islamov, D. R., 15 авг. 2019, в: Microelectronic Engineering. 216, 5 стр., 111038.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  16. Ballistic geometric resistance resonances in a single surface of a topological insulator

    Maier, H., Ziegler, J., Fischer, R., Kozlov, D., Kvon, Z. D., Mikhailov, N., Dvoretsky, S. A. & Weiss, D., 8 дек. 2017, в: Nature Communications. 8, 1, 6 стр., 2023.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  17. Ballistic magnetotransport in a suspended two-dimensional electron gas with periodic antidot lattices

    Zhdanov, E. Y., Pogosov, A. G., Budantsev, M. V., Pokhabov, D. A. & Bakarov, A. K., 1 янв. 2017, в: Semiconductors. 51, 1, стр. 8-13 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  18. Band structure of a HgTe-based three-dimensional topological insulator

    Gospodarič, J., Dziom, V., Shuvaev, A., Dobretsova, A. A., Mikhailov, N. N., Kvon, Z. D., Novik, E. G. & Pimenov, A., сент. 2020, в: Physical Review B. 102, 11, 9 стр., 115113.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  19. Band structure of a two-dimensional Dirac semimetal from cyclotron resonance

    Shuvaev, A. M., Dziom, V., Mikhailov, N. N., Kvon, Z. D., Shao, Y., Basov, D. N. & Pimenov, A., 12 окт. 2017, в: Physical Review B. 96, 15, 7 стр., 155434.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  20. Bielectron Formed in a 2D System by the Spin–Orbit Interaction and Image Forces

    Mahmoodian, M. M. & Chaplik, A. V., 1 мая 2018, в: JETP Letters. 107, 9, стр. 564-568 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  21. Bound State of an Electron in a MOS Structure Due to the Spin–Orbit Interaction

    Mahmoodian, M. M. & Chaplik, A. V., 1 дек. 2018, в: Journal of Experimental and Theoretical Physics. 127, 6, стр. 1130-1135 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  22. Carrier Recombination, Long-Wavelength Photoluminescence, and Stimulated Emission in HgCdTe Quantum Well Heterostructures

    Rumyantsev, V., Fadeev, M., Aleshkin, V., Kulikov, N., Utochkin, V., Mikhailov, N., Dvoretskii, S., Pavlov, S., Hübers, H. W., Gavrilenko, V., Sirtori, C., Krasilnik, Z. F. & Morozov, S., 1 июн. 2019, в: Physica Status Solidi (B) Basic Research. 256, 6, 6 стр., 1800546.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  23. Characterization of Crystal Perfection in the Layers of (013)HgCdTe/CdTe/ZnTe/GaAs Heterostructures via the Second Harmonic Generation Method

    Dvoretskii, S. A., Stupak, M. F., Mikhailov, N. N., Makarov, S. N., Elesin, A. G. & Verkhoglyad, A. G., сент. 2021, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 57, 5, стр. 458-467 10 стр., 3.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  24. Charge Transport Mechanism and Trap Origin in Methyl-Terminated Organosilicate Glass Low-κ Dielectrics

    Perevalov, T. V., Gismatulin, A. A., Dolbak, A. E., Gritsenko, V. A., Trofimova, E. S., Pustovarov, V. A., Seregin, D. S., Vorotilov, K. A. & Baklanov, M. R., февр. 2021, в: Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science. 218, 4, 7 стр., 2000654.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  25. Charge Transport Mechanism in Atomic Layer Deposited Oxygen-Deficient TaOx Films

    Gismatulin, A., Gritsenko, V., Perevalov, T., Kuzmichev, D., Chernikova, A. & Markeev, A., мар. 2021, в: Physica Status Solidi (B) Basic Research. 258, 3, 6 стр., 2000432.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  26. Circularly polarized Raman scattering in silicon

    Talochkin, A. B., 1 янв. 2020, в: Journal of Raman Spectroscopy. 51, 1, стр. 201-206 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  27. Coherent Emission in the Vicinity of 10 THz due to Auger-Suppressed Recombination of Dirac Fermions in HgCdTe Quantum Wells

    Morozov, S. V., Rumyantsev, V. V., Zholudev, M. S., Dubinov, A. A., Aleshkin, V. Y., Utochkin, V. V., Fadeev, M. A., Kudryavtsev, K. E., Mikhailov, N. N., Dvoretskii, S. A., Gavrilenko, V. I. & Teppe, F., 15 дек. 2021, в: ACS Photonics. 8, 12, стр. 3526–3535 10 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  28. Conductivity of a two-dimensional HgTe layer near the critical width: The role of developed edge states network and random mixture of p-and n-domains

    Mahmoodian, M. M. & Entin, M. V., 15 мар. 2020, в: Physical Review B. 101, 12, 9 стр., 125415.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  29. Critical properties and charge transport in ethylene bridged organosilica low-κ dielectrics

    Perevalov, T., Gismatulin, A. A., Seregin, D. S., Wang, Y., Xu, H., Kruchinin, V. N., Spesivcev, E., Gritsenko, V. A., Nasyrov, K. A., Prosvirin, I. P., Zhang, J., Vorotilov, K. A. & Baklanov, M. R., 21 мая 2020, в: Journal of Applied Physics. 127, 19, 12 стр., 195105.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  30. Crossing and anticrossing of 1D subbands in a quantum point contact with in-plane side gates

    Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Zhdanov, E. Y., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., 4 янв. 2021, в: Applied Physics Letters. 118, 1, 5 стр., 012104.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  31. Cyclotron-resonance-induced photogalvanic effect in surface states of 200-nm-thick strained HgTe films

    Candussio, S., Budkin, G. V., Otteneder, M., Kozlov, D. A., Dmitriev, I. A., Bel'Kov, V. V., Kvon, Z. D., Mikhailov, N. N., Dvoretsky, S. A. & Ganichev, S. D., 23 мая 2019, в: Physical Review Materials. 3, 5, 11 стр., 054205.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  32. Density of states measurements for the heavy subband of holes in HgTe quantum wells

    Kuntsevich, A. Y., Minkov, G. M., Sherstobitov, A. A., Tupikov, Y. V., Mikhailov, N. N. & Dvoretsky, S. A., 15 февр. 2020, в: Physical Review B. 101, 8, 10 стр., 085301.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  33. Determination of the Thermodynamic Parameters of DNA Double Helix Unwinding with the Help of Mechanical Methods

    Kurus, N. N. & Dultsev, F. N., 31 мар. 2018, в: ACS Omega. 3, 3, стр. 2793-2797 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  34. Determining the Compositional Profile of HgTe/Cd xHg1 – xTe Quantum Wells by Single-Wavelength Ellipsometry

    Shvets, V. A., Mikhailov, N. N., Ikusov, D. G., Uzhakov, I. N. & Dvoretskii, S. A., 1 авг. 2019, в: Optics and Spectroscopy. 127, 2, стр. 340-346 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  35. Double-Channel Electron Transport in Suspended Quantum Point Contacts with in-Plane Side Gates

    Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Zhdanov, E. Y., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., дек. 2020, в: Semiconductors. 54, 12, стр. 1605-1610 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  36. Edge absorption and pure spin current in a 2D topological insulator in the Volkov-Pankratov model

    Mahmoodian, M. M., Magarill, L. I. & Entin, M. V., 27 сент. 2017, в: Journal of Physics Condensed Matter. 29, 43, 5 стр., 435303.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  37. Edge capacitance of a two-dimensional topological insulator

    Entin, M. V. & Braginsky, L., 1 сент. 2017, в: Physical Review B. 96, 11, 4 стр., 115403.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  38. Edge state magnetoresistance of a two-dimensional topological insulator

    Braginsky, L. S. & Entin, M. V., мая 2021, в: EPL. 134, 3, 37001.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  39. Edge States and Capacitance of a 2D Topological Insulator

    Braginsky, L. S. & Entin, M. V., 1 июн. 2019, в: Physica Status Solidi (B) Basic Research. 256, 6, 4 стр., 1800675.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  40. Edge states in lateral p-n junctions in inverted-band HgTe quantum wells

    Piatrusha, S. U., Khrapai, V. S., Kvon, Z. D., Mikhailov, N. N., Dvoretsky, S. A. & Tikhonov, E. S., 20 дек. 2017, в: Physical Review B. 96, 24, 10 стр., 245417.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  41. Edge states on the curved boundary of a 2D topological insulator

    Entin, M. V. & Magarill, L. I., 1 нояб. 2017, в: Europhysics Letters. 120, 3, 5 стр., 37003.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  42. Effect of Features of the Band Spectrum on the Characteristics of Stimulated Emission in Narrow-Gap Heterostructures with HgCdTe Quantum Wells

    Rumyantsev, V. V., Kulikov, N. S., Kadykov, A. M., Fadeev, M. A., Ikonnikov, A. V., Kazakov, A. S., Zholudev, M. S., Aleshkin, V. Y., Utochkin, V. V., Mikhailov, N. N., Dvoretskii, S. A., Morozov, S. V. & Gavrilenko, V. I., 1 нояб. 2018, в: Semiconductors. 52, 11, стр. 1375-1379 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  43. Effect of oxygen vacancies on the ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 stabilization: DFT simulation

    Islamov, D. R. & Perevalov, T. V., 15 авг. 2019, в: Microelectronic Engineering. 216, 4 стр., 111041.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  44. Effect of terminal methyl groups concentration on properties of organosilicate glass low dielectric constant films

    Liu, C., Qi, Q., Seregin, D. S., Vishnevskiy, A. S., Wang, Y., Wei, S., Zhang, J., Vorotilov, K. A., Dultsev, F. N. & Baklanov, M. R., 1 июл. 2018, в: Japanese Journal of Applied Physics. 57, 7, 7 стр., 07MC01.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  45. Effect of the relief on the measurement of bond rupture force with the help of AFM: The dynamics of interaction and optimization of the procedure

    Kurus, N. N., Dultsev, F. N., Shevelev, G., Lomzov, A. A. & Pyshnyi, D. V., 28 июл. 2018, в: Analytical Methods. 10, 28, стр. 3498-3505 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  46. Electrical control of spin relaxation anisotropy during drift transport in a two-dimensional electron gas

    Hernandez, F. G. G., Ferreira, G. J., Luengo-Kovac, M., Sih, V., Kawahala, N. M., Gusev, G. M. & Bakarov, A. K., сент. 2020, в: Physical Review B. 102, 12, 7 стр., 125305.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  47. Electron Effective Mass and g Factor in Wide HgTe Quantum Wells

    Gudina, S. V., Neverov, V. N., Ilchenko, E. V., Bogolubskii, A. S., Harus, G. I., Shelushinina, N. G., Podgornykh, S. M., Yakunin, M. V., Mikhailov, N. N. & Dvoretsky, S. A., 1 янв. 2018, в: Semiconductors. 52, 1, стр. 12-18 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  48. Electron emission from Cs/GaAs and GaAs(Cs, О) with positive and negative electron affinity

    Zhuravlev, A. G., Khoroshilov, V. S. & Alperovich, V. L., 1 мая 2017, в: JETP Letters. 105, 10, стр. 686-690 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  49. Electronic Spectrum and Optical Properties of Quantum Wires Made from Transition Metal Dichalcogenides

    Vitlina, R. Z., Magarill, L. I. & Chaplik, A. V., 1 окт. 2019, в: JETP Letters. 110, 8, стр. 540-544 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  50. Electronic structure and charge transport in nonstoichiometric tantalum oxide

    Perevalov, T. V., Gritsenko, V. A., Gismatulin, A. A., Voronkovskii, V. A., Gerasimova, A. K., Aliev, V. S. & Prosvirin, I. A., 29 июн. 2018, в: Nanotechnology. 29, 26, 9 стр., 264001.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  51. Electronic structure and nanoscale potential fluctuations in strongly nonstoichiometric PECVD SiOx

    Perevalov, T. V., Volodin, V. A., Kamaev, G. N., Krivyakin, G. K., Gritsenko, V. A. & Prosvirin, I. P., 1 февр. 2020, в: Journal of Non-Crystalline Solids. 529, 4 стр., 119796.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

Назад 1 2 3 4 5 Далее

ID: 3083697