Edge states in lateral p-n junctions in inverted-band HgTe quantum wells › Обзор исследований

DOI

https://doi.org/10.1103/PhysRevB.96.245417
Конечная издательская версия

S. U. Piatrusha
V. S. Khrapai
Z. D. Kvon
N. N. Mikhailov
S. A. Dvoretsky
E. S. Tikhonov

Язык оригинала	английский
Номер статьи	245417
Число страниц	10
Журнал	Physical Review B
Том	96
Номер выпуска	24
DOI	https://doi.org/10.1103/PhysRevB.96.245417
Состояние	Опубликовано - 20 дек. 2017

Предметные области OECD FOS+WOS

ID: 9400761