Результаты исследований

1. Mathematical Modeling of Charge Transport in the Dielectric Layer of a HfOx Memristor Taking into Account Single Charged Traps

   Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

2. Atomic and Electronic Structure of Defect Ni Complexes and Oxygen Vacancies in HfO2 and Their Influence on Charge Transport in Memristors

   Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

3. Атомная и электронная структура дефектных комплексов Ni и вакансий кислорода в HfO2 и их влияние на транспорт заряда в мемристорах

   Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Просмотреть все (35) »