Эксперт в области комбинационного рассеяния света в полупроводниках. Область научных интересов связана с исследованием оптических свойств полупроводниковых наноструктур, в основном нанокристаллов и аморфных нанокластеров полупроводников в диэлектриках. Исследует применение диэлектрических плёнок с полупроводниковыми нанокластерами в мемристорах. 

Ключевые слова: полупроводники, диэлектрики, наноструктуры, оптические методы исследования наноструктур, мемристоры.

Неоднократно приглашался как приглашнный профессор в Университет Лотарингии (Нанси, Франция). Руководитель проектов РФФИ и РНФ. Имеет 5 патентов РФ.

Возможные темы для исследования

1. Мемристоры на основе германосиликатных стёкол.

Порядок выполнения исследования

Основное место работы: главный корпус НГУ, Физический факультет, отдел АТИЦ, ЦКП "ВТАН", часть работ проводится в Лабораторном корпусе ИФП СО РАН.

Перечень действующих и планируемых проектов НИР

1. Проект РНФ 22-19-00369 «Разработка и исследование мемристоров на основе SiN_xO_y и SiGe_xO_y для памяти терабитного масштаба и нейроморфных устройств искусственного интеллекта».

Специальные требования к аспиранту

Знание основ физики твёрдого тела и физики полупроводников. Опыт экспериментальной работы желателен. Желательны навыки в программировании - Python, MathLab или другие языки.

Мотивация аспиранту (о стиле взаимодействия научного руководителя с аспирантом):  

Приветствуется склонность к самостоятельной работе, проявление инициативы, самостоятельный поиск фондов для поддержки молодых исследователей.