Кафедра общей физики ФФ

Контактное лицо

Кафедра физических методов исследования твердого тела ФФ

Контактное лицо

Лаборатория функциональной диагностики низкоразмерных структур для наноэлектроники

Контактное лицо

Научные интересы

Эксперт в области комбинационного рассеяния света в полупроводниках. Область научных интересов связана с исследованием оптических свойств полупроводниковых наноструктур, в основном нанокристаллов и аморфных нанокластеров полупроводников в диэлектриках. Исследует применение диэлектрических плёнок с полупроводниковыми нанокластерами в мемристорах. 

Ключевые слова: полупроводники, диэлектрики, наноструктуры, оптические методы исследования наноструктур, мемристоры.

Неоднократно приглашался как приглашнный профессор в Университет Лотарингии (Нанси, Франция). Руководитель проектов РФФИ и РНФ. Имеет 5 патентов РФ.

Информация для аспирантов

Возможные темы для исследования

  1. Мемристоры на основе германосиликатных стёкол.

Порядок выполнения исследования

Основное место работы: главный корпус НГУ, Физический факультет, отдел АТИЦ, ЦКП "ВТАН", часть работ проводится в Лабораторном корпусе ИФП СО РАН.

Перечень действующих и планируемых проектов НИР

  1. Проект РНФ 22-19-00369 «Разработка и исследование мемристоров на основе SiNxOy и SiGexOy для памяти терабитного масштаба и нейроморфных устройств искусственного интеллекта».

Специальные требования к аспиранту

Знание основ физики твёрдого тела и физики полупроводников. Опыт экспериментальной работы желателен. Желательны навыки в программировании - Python, MathLab или другие языки.

Мотивация аспиранту (о стиле взаимодействия научного руководителя с аспирантом):  

Приветствуется склонность к самостоятельной работе, проявление инициативы, самостоятельный поиск фондов для поддержки молодых исследователей.

Результаты исследований

  1. Single-shot selective femtosecond and picosecond infrared laser crystallization of an amorphous Ge/Si multilayer stack

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  2. Ultrafast Infrared Laser Crystallization of Amorphous Si/Ge Multilayer Structures

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. Enhanced InAs phase formation in the In+- and As+-implanted SiO2 films covered with Si3N4 layers

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

Просмотреть все (111) »

ID: 3443008