Electron Effective Mass and g Factor in Wide HgTe Quantum Wells › Обзор исследований

DOI

https://doi.org/10.1134/S1063782618010098
Конечная издательская версия

S. V. Gudina
V. N. Neverov
E. V. Ilchenko
A. S. Bogolubskii
G. I. Harus
N. G. Shelushinina
S. M. Podgornykh
M. V. Yakunin
N. N. Mikhailov
S. A. Dvoretsky

Язык оригинала	английский
Страницы (с-по)	12-18
Число страниц	7
Журнал	Semiconductors
Том	52
Номер выпуска	1
DOI	https://doi.org/10.1134/S1063782618010098
Состояние	Опубликовано - 1 янв. 2018

Предметные области OECD FOS+WOS

ID: 10452358