Activation conductivity in HgTe/CdHgTe quantum wells at integer Landau level filling factors › Обзор исследований

Исследовательский портал НГУ

Activation conductivity in HgTe/CdHgTe quantum wells at integer Landau level filling factors: Role of the random potential

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Учебно-научная лаборатория квантовых явлений в конденсированных системах ФФ

DOI

https://doi.org/10.1134/S106378261712003X
Конечная издательская версия

L. S. Bovkun
A. V. Ikonnikov
V. Ya Aleshkin
S. S. Krishtopenko
A. V. Antonov
K. E. Spirin
N. N. Mikhailov
S. A. Dvoretsky
V. I. Gavrilenko

Язык оригинала	английский
Страницы (с-по)	1562-1570
Число страниц	9
Журнал	Semiconductors
Том	51
Номер выпуска	12
DOI	https://doi.org/10.1134/S106378261712003X
Состояние	Опубликовано - 1 дек. 2017

Предметные области OECD FOS+WOS

ID: 9645627