1. 2025
  2. Polarization-dependent TERS imaging of a single AlN nanorod

    Milekhin, I. A., Milekhin, A. G., Tsarev, A. V., Latyshev, A. V. & Zahn, D. R. T., 30 дек. 2025, в: Applied Surface Science. 714, 7 стр., 164403.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. Effect of substrate temperature on the mechanical stresses in aluminum nitride films prepared by pulsed DC magnetron sputtering

    Шаяпов, В. Р., Богословцева, А. Л., Чепкасов, С. Ю., Капишников, А. В., Milekhin, I., Миронова, М. И. & Гейдт, П. В., 17 дек. 2025, в: Physica Scripta. 100, 12, 9 стр., 125935.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  4. Resonances in Ge disk lattices on Si at telecommunication wavelengths

    Шкляев, А. А., Utkin, D., Зиновьев, В. А., Рудин, С. А., Зиновьева, А. Ф., Ненашев, А. В., Ташкеев, Н. А. & Вебер, С. Л., 16 дек. 2025, в: Physical Review A. 112, 6, 10 стр., 063528.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  5. Многоуровневая мемристорная структура на основе аморфного кремния

    Камаев, Г. Н., Володин, В. А. & Чэн, Н., 12 дек. 2025, Роспатент - Федеральная служба по интеллектуальной собственности, Патент/Св-во № 239675, 5 сент. 2025, Дата приоритета 5 сент. 2025, № приоритета 2025124514

    Результаты исследований: Патенты/Свидетельства о регистрациипатент на полезную модель

  6. Способ измерения пьезокоэффициента в пьезоактивных пленках с помощью сканирующего зондового микроскопа

    Николаев, И. В. & Гейдт, П. В., 12 дек. 2025, Патент/Св-во № 144, 12 дек. 2025, Дата приоритета 12 дек. 2025

    Результаты исследований: Патенты/Свидетельства о регистрациисвидетельство о регистрации ноу-хау

  7. Slip Electron Flow in GaAs Microscale Constrictions

    Sarypov, D. I., Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Zhdanov, E. Y., Shevyrin, A. A., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., 5 дек. 2025, в: Physical Review Letters. 135, 23, 16 стр., 236301.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  8. Charge Transport in MIS Structures ITO/[GeOx](z)[SiO2](1–z)/Si

    Yushkov, I., Gismatulin, A., Kamaev, G., Vergnat, M. & Volodin, V. A., дек. 2025, в: Russian Microelectronics. 54, 8, стр. 842-847 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  9. Comparative nanopatterning of single-component semiconductors using oblique argon cluster ion bombardment

    Коробейщиков, Н. Г., Николаев, И. В., Стишенко, П. В. & Яковлева, М. В., дек. 2025, в: Materials Science in Semiconductor Processing. 200, 11 стр., 110016.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  10. Determining the Depth of Penetration of the THz Surface Plasmon Polariton Field into Air by the Shielding Technique

    Kukotenko, V. D., Gerasimov, V. V., Vanda, V. S., Lemzyakov, A. G., Azarov, I. A. & Nikitin, A., дек. 2025, в: Plasmonics. 20, 12, стр. 11461-11469 9 стр., 1.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  11. Gigahertz Repetition-Rate Pulse Generation in Fiber Lasers Based on Semiconductor Optical Amplifiers

    Ivanenko, A. A., Smirnov, S. V., Rybak, A., Idyrysov, N. & Bednyakova, A. E., дек. 2025, в: Bulletin of the Lebedev Physics Institute. 52, Suppl 11, стр. S1095-S1103 9 стр., 1.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

ID: 75607337