1. 2025
  2. Wavelength dependent gap-mode TERS by CdSe nanocrystals on a single Au nanodisk

    Milekhin, I. A., Rahaman, M., Tsarev, A. V., Anikin, K. V., Rodyakina, E. E., Duda, T. A., Saidzhonov, B. M., Vasiliev, R. B., Milekhin, A. G., Latyshev, A. V. & Zahn, D. R. T., 30 мар. 2025, в: Applied Surface Science. 686, 162144.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. Array of dielectric Mie particles with optical surface resonances as a promising coating for thin-film photoelectronic device applications

    Shklyaev, A. A., Utkin, D. E., Tsarev, A. V. & Latyshev, A. V., мар. 2025, в: Vacuum. 233, 113976.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  4. 2024
  5. Capture zone scaling in 2D Ge island nucleation on Si(111)-(7 × 7) at elevated temperatures

    Makeeva, A. A., Petrov, A. S., Rogilo, D. I., Sheglov, D. V. & Latyshev, A. V., 1 дек. 2024, в: Journal of Crystal Growth. 647, 127873.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  6. Features of Microwave Photoconductance of Quantum Point Contact and Silicon Field-Effect Transistor

    Jaroshevich, A. S., Tkachenko, V. A., Kvon, Z. D., Kuzmin, N. S., Tkachenko, O. A., Baksheev, D. G., Marchishin, I. V., Bakarov, A. K., Rodyakina, E. E., Antonov, V. A., Popov, V. P. & Latyshev, A. V., сент. 2024, в: Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 88, 9, стр. 1505-1512 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  7. Low-Temperature Conductance of Nanosystems under Conditions of Weak Coupling with a Microwave Generator

    Jaroshevich, A. S., Tkachenko, V. A., Kvon, Z. D., Kuzmin, N. S., Tkachenko, O. A., Baksheev, D. G., Marchishin, I. V., Bakarov, A. K., Rodyakina, E. E., Antonov, V. A., Popov, V. P. & Latyshev, A. V., авг. 2024, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 60, 4, стр. 505-521 17 стр., 8.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  8. Low-defect-density SnSe2 films nucleated via thin layer crystallization

    Ponomarev, S. A., Zakhozhev, K. E., Rogilo, D. I., Gutakovsky, A. K., Kurus, N. N., Kokh, K. A., Sheglov, D. V., Milekhin, A. G. & Latyshev, A. V., 1 апр. 2024, в: Journal of Crystal Growth. 631, 5 стр., 127615.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  9. Sn-mediated transformations on Si(111) surface: reconstructions, electromigration, homoepitaxy

    Petrov, A. S., Rogilo, D. I., Vergules, A. I., Mansurov, V. G., Sheglov, D. V. & Latyshev, A. V., мар. 2024, в: Surface Science. 741, 13 стр., 122418.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  10. High-temperature indium adsorption on Bi2Se3(0001) surface studied by in situ reflection electron microscopy

    Ponomarev, S. A., Rogilo, D. I., Nasimov, D. A., Kokh, K. A., Sheglov, D. V. & Latyshev, A. V., 15 февр. 2024, в: Journal of Crystal Growth. 628, 127545.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  11. Resonant Raman scattering on graphene: SERS and gap-mode TERS

    Kurus, N. N., Kalinin, V., Nebogatikova, N. A., Milekhin, I. A., Antonova, I. V., Rodyakina, E. E., Milekhin, A. G., Latyshev, A. V. & Zahn, D. R. T., 23 янв. 2024, в: RSC Advances. 14, 6, стр. 3667-3674 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  12. In situ reflection electron microscopy for the surface processes analysis during sublimation and epitaxial growth of layered metal chalcogenides

    Ponomarev, S. A., Rogilo, D. I., Zakhozhev, K. E., Nasimov, D. A., Kurus, N. N., Gutakovskii, A. K., Kokh, K. A., Milekhin, A. G., Sheglov, D. V. & Latyshev, A. V., 2024, в: Modern Electronic Materials. 10, 4, стр. 251-261 11 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  13. Особенности отражения света от упорядоченных в решётку частиц Ge: влияние размера и периода

    Utkin, D., Шкляев, А. А., Царев, А. В. & Латышев, А. В., 2024, Тезисы докладов XV Конференции по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе. Иркутск, 2024. стр. 105 1 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференциинаучнаяРецензирование

  14. Покрытия, изменяющие направление распространения света на основе резонансов Ми в частицах кремния и германия

    Шкляев, А. А., Utkin, D., Царев, А. В. & Латышев, А. В., 2024, Тезисы докладов XV Конференции по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе. Иркутск, 2024. стр. 73

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференциинаучнаяРецензирование

  15. 2023
  16. Raman Scattering Spectroscopy and Photoluminescence of GaAs Nanowires

    Kalachev, I. V., Milekhin, I. A., Emel’yanov, E. A., Preobrazhenskii, V. V., Tumashev, V. S., Milekhin, A. G. & Latyshev, A. V., дек. 2023, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 59, 6, стр. 659-666 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  17. Effect of Mie resonances in coatings consisting of dielectric particles on the light propagation in substrate surface layers

    Shklyaev, A. A., Utkin, D. E., Tsarev, A. V. & Latyshev, A. V., сент. 2023, в: Optical Materials. 143, 114171.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  18. Local phonon imaging of AlN nanostructures with nanoscale spatial resolution

    Milekhin, I., Anikin, K., Kurus, N. N., Mansurov, V. G., Malin, T. V., Zhuravlev, K. S., Milekhin, A. G., Latyshev, A. V. & Zahn, D. R. T., 16 мая 2023, в: Nanoscale Advances. 5, 10, стр. 2820-2830 11 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  19. Plasmon-Enhanced Raman Scattering by Multilayered Graphene at the Micro- and Nanoscale: SERS and TERS Analysis

    Kurus, N. N., Milekhin, I. A., Nebogatikova, N. A., Antonova, I. V., Rodyakina, E. E., Milekhin, A. G., Latyshev, A. V. & Zahn, D. R. T., 16 мар. 2023, в: Journal of Physical Chemistry C. 127, 10, стр. 5013-5020 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  20. Kinetically driven thermal roughening of semiconductor surfaces: experiment on GaAs and Monte Carlo simulation

    Kazantsev, D. M., Akhundov, I. O., Kozhuhov, A. S., Khoroshilov, V. S., Shwartz, N. L., Alperovich, V. L. & Latyshev, A. V., 1 мар. 2023, в: Physica Scripta. 98, 3, 035702.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  21. Structural transitions on Si(1 1 1) surface during Sn adsorption, electromigration, and desorption studied by in situ UHV REM

    Petrov, A. S., Rogilo, D. I., Zhachuk, R. A., Vergules, A. I., Sheglov, D. V. & Latyshev, A. V., 30 янв. 2023, в: Applied Surface Science. 609, 155367.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  22. Спектроскопия комбинационного рассеяния света и фотолюминесценция нанопроволок GaAs

    Калачев, И. В., Milekhin, I., Емельянов, Е. А., Преображенский, В. В., Тумашев, В. С. & Латышев, А. В., 2023, в: Автометрия. 59, 6, стр. 3-11 9 стр., 1.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  23. 2022
  24. Interdisk spacing effect on resonant properties of Ge disk lattices on Si substrates

    Shklyaev, A. A., Utkin, D. E., Tsarev, A. V., Kuznetsov, S. A., Anikin, K. V. & Latyshev, A. V., дек. 2022, в: Scientific Reports. 12, 1, 8123.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

Назад 1 2 3 4 5 Далее

ID: 3436806