Capture zone scaling in 2D Ge island nucleation on Si(111)-(7 × 7) at elevated temperatures › Обзор исследований

DOI

https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2024.127873
Конечная издательская версия

A. A. Makeeva
A. S. Petrov
D. I. Rogilo
D. V. Sheglov
A. V. Latyshev

Язык оригинала	английский
Номер статьи	127873
Журнал	Journal of Crystal Growth
Том	647
DOI	https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2024.127873
Состояние	Опубликовано - 1 дек. 2024

Предметные области OECD FOS+WOS

1.03.UB ФИЗИКА, ПРИКЛАДНАЯ

Области исследований

A1. Growth models, A1. Nucleation, A1. Surface processes, A3. Molecular beam epitaxy, B2. Semiconducting germanium, B2. Semiconducting silicon

ID: 60779026