Capture zone scaling in 2D Ge island nucleation on Si(111)-(7 × 7) at elevated temperatures

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Язык оригинала	русский
Номер статьи	127873
Журнал	Journal of Crystal Growth
Том	647
Номер выпуска	127873
DOI	https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2024.127873
Состояние	Опубликовано - 26 авг. 2024
Опубликовано для внешнего пользования	Да

A1. Growth models, A1. Nucleation, A1. Surface processes, A3. Molecular beam epitaxy, B2. Semiconducting germanium, B2. Semiconducting silicon

ID: 60779026