Контроль формирования слоев графена на подложках 6H-SiC(0001) методом in situ дифракции быстрых электронов на отражение › Обзор исследований

DOI

https://doi.org/10.61011/FTP.2025.02.60984.8241
Конечная издательская версия

Денис Евгеньевич Дураков
Алексей Сергеевич Петров
Дмитрий Игоревич Рогило
Анастасия Анатольевна Макеева
Дмитрий Александрович Насимов
Данил Фёдорович Никифоров
Нина Николаевна Курусь
Александр Германович Милёхин
Дмитрий Владимирович Щеглов
Александр Васильевич Латышев

Переведенное название	IN SITU REFLECTION HIGH-ENERGY ELECTRON DIFFRACTION OBSERVATION OF GRAPHENE LAYER FORMATION ON 6H-SIC SUBSTRATE
Язык оригинала	русский
Страницы (с-по)	102-108
Журнал	Физика и техника полупроводников
Том	59
Номер выпуска	2
DOI	https://doi.org/10.61011/FTP.2025.02.60984.8241
Состояние	Опубликовано - 2025

Области исследований

ГРАФЕН, SIC, АСМ, КРС, СЭМ, ДБЭО

Предметные области OECD FOS+WOS

1.03 ФИЗИЧЕСКИЕ НАУКИ И АСТРОНОМИЯ

ID: 74616367