Low-defect-density SnSe2 films nucleated via thin layer crystallization › Обзор исследований

DOI

https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2024.127615
Конечная издательская версия

S. A. Ponomarev
K. E. Zakhozhev
D. I. Rogilo
A. K. Gutakovsky
N. N. Kurus
K. A. Kokh
D. V. Sheglov
A. G. Milekhin
A. V. Latyshev

Язык оригинала	английский
Номер статьи	127615
Число страниц	5
Журнал	Journal of Crystal Growth
Том	631
DOI	https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2024.127615
Состояние	Опубликовано - 1 апр. 2024

Предметные области OECD FOS+WOS

1.04.FI КРИСТАЛЛОГРАФИЯ
1.03.UB ФИЗИКА, ПРИКЛАДНАЯ
2.05.PM МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ, МУЛЬТИДИСЦИПЛИНАРНОЕ

Области исследований

A1. Adsorption, A1. Atomic force microscopy, A1. Defect engineering, A1. Surfaces, A3. Molecular beam epitaxy, A3. van der Waals epitaxy

ID: 61085307