High-temperature indium adsorption on Bi2Se3(0001) surface studied by in situ reflection electron microscopy › Обзор исследований

DOI

https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2023.127545
Конечная издательская версия

S. A. Ponomarev
D. I. Rogilo
D. A. Nasimov
K. A. Kokh
D. V. Sheglov
A. V. Latyshev

Язык оригинала	английский
Номер статьи	127545
Журнал	Journal of Crystal Growth
Том	628
DOI	https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2023.127545
Состояние	Опубликовано - 15 февр. 2024

Области исследований

A1. Adsorption, A1. Desorption, A1. Nucleation, A1. Surface processes, A3. Molecular beam epitaxy, B3. Selenides

Предметные области OECD FOS+WOS

1.04.FI КРИСТАЛЛОГРАФИЯ
1.03.UB ФИЗИКА, ПРИКЛАДНАЯ
2.05.PM МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ, МУЛЬТИДИСЦИПЛИНАРНОЕ

ID: 61150206