Features of Microwave Photoconductance of Quantum Point Contact and Silicon Field-Effect Transistor

Язык оригинала	английский
Страницы (с-по)	1505-1512
Число страниц	8
Журнал	Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics
Том	88
Номер выпуска	9
DOI	https://doi.org/10.1134/S1062873824707773
Состояние	Опубликовано - сент. 2024

field-effect transistor, mesoscopic transport, microwave photoconductance, quantum point contact, quantum scattering, tunneling mode, two-dimensional electron gas

ID: 60815352