1 - 100 из 408Размер страницы: 100
Сортировать по:: Заголовок

  1. 2D island nucleation controlled by nanocluster diffusion during Si and Ge epitaxy on Si(1 1 1)-(7 × 7) surface at elevated temperatures

    Petrov, A. S., Rogilo, D. I., Sheglov, D. V. & Latyshev, A. V., 1 февр. 2020, в: Journal of Crystal Growth. 531, 6 стр., 125347.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  2. 2D Si island nucleation on the Si(111) surface at initial and late growth stages: On the role of step permeability in pyramidlike growth

    Rogilo, D. I., Fedina, L. I., Kosolobov, S. S., Ranguelov, B. S. & Latyshev, A. V., 1 янв. 2017, в: Journal of Crystal Growth. 457, стр. 188-195 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Advacancy-mediated atomic steps kinetics and two-dimensional negative island nucleation on ultra-flat Si(111) surface

    Sitnikov, S. V., Latyshev, A. V. & Kosolobov, S. S., 1 янв. 2017, в: Journal of Crystal Growth. 457, стр. 196-201 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. A highly porous surface of synthetic monocrystalline diamond: Effect of etching by Fe nanoparticles in hydrogen atmosphere

    Chepurov, A., Sonin, V., Shcheglov, D., Latyshev, A., Filatov, E. & Yelisseyev, A., 1 нояб. 2018, в: International Journal of Refractory Metals and Hard Materials. 76, стр. 12-15 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. AlInAs quantum dots

    Gaisler, A. V., Derebezov, I. A., Gaisler, V. A., Dmitriev, D. V., Toropov, A. I., Kozhukhov, A. S., Shcheglov, D. V., Latyshev, A. V. & Aseev, A. L., 1 янв. 2017, в: JETP Letters. 105, 2, стр. 103-109 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. AlN/GaN heterostructures for normally-off transistors

    Zhuravlev, K. S., Malin, T. V., Mansurov, V. G., Tereshenko, O. E., Abgaryan, K. K., Reviznikov, D. L., Zemlyakov, V. E., Egorkin, V. I., Parnes, Y. M., Tikhomirov, V. G. & Prosvirin, I. P., 1 мар. 2017, в: Semiconductors. 51, 3, стр. 379-386 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Analytical Expression for the Distribution of Elastic Strain Created by a Polyhedral Inclusion with Arbitrary Eigenstrain

    Nenashev, A. V. & Dvurechenskii, A. V., 1 сент. 2018, в: Physics of the Solid State. 60, 9, стр. 1807-1812 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Analytical theory for charge carrier recombination in blend organic solar cells

    Nenashev, A. V., Wiemer, M., Dvurechenskii, A. V., Kulik, L. V., Pevtsov, A. B., Gebhard, F., Koch, M. & Baranovskii, S. D., 28 мар. 2017, в: Physical Review B. 95, 10, 12 стр., 104207.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Anderson Localization in a Two-Dimensional Electron–Hole System

    Kvon, Z. D., Olshanetsky, E. B., Drofa, M. A. & Mikhailov, N. N., сент. 2021, в: JETP Letters. 114, 6, стр. 341-346 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. A new imaging concept in spin polarimetry based on the spin-filter effect

    Tereshchenko, O. E., Golyashov, V. A., Rusetsky, V. S., Mironov, A. V., Demin, A. Y. & Aksenov, V. V., 1 мая 2021, в: Journal of Synchrotron Radiation. 28, стр. 864-875 12 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. Angle-Selective Photodetection in Ge/Si Quantum Dot Photodiodes Enhanced by Microstructured Hole Arrays

    Yakimov, A. I., Kirienko, V. V., Bloshkin, A. A., Utkin, D. E. & Dvurechenskii, A. V., июл. 2023, в: Photonics. 10, 7, 764.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  12. Annealing effect on the barrier characteristics and interface properties of Au/Pt/Ti/n-InAlAs Schottky contacts

    Aksenov, M. S., Genze, I. Y., Chistokhin, I. B., Zakirov, E. R., Dmitriev, D. V., Zhuravlev, K. S., Gutakovskii, A. K., Golyashov, V. A. & Tereshchenko, O. E., июл. 2023, в: Surfaces and Interfaces. 39, 102920.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  13. Anomalous Decay of Quantum Resistance Oscillations of 2D Helical Electrons in Magnetic Field

    Abedi, S., Vitkalov, S. A., Mikhailov, N. N. & Kvon, Z. D., 12 мая 2020, в: Scientific Reports. 10, 1, 14 стр., 7875.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  14. Anomalously large gap and induced out-of-plane spin polarization in magnetically doped 2D Rashba system: V-doped BiTeI

    Shikin, A. M., Rybkina, A. A., Klimovskikh, I. I., Tereshchenko, O. E., Bogomyakov, A. S., Kokh, K. A., Kimura, A., Skirdkov, P. N., Zvezdin, K. A. & Zvezdin, A. K., 1 июн. 2017, в: 2D Materials. 4, 2, 9 стр., 025055.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  15. Application of surface-enhanced infrared spectroscopy for steroids analysis

    Cherkasova, O. P., Milekhin, A. G., Milekhin, I. A., Kuznetsov, S. A., Rodyakina, E. E. & Latyshev, A. V., 23 авг. 2016, Proceedings - 2016 International Conference Laser Optics, LO 2016. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., стр. S229 (Proceedings - 2016 International Conference Laser Optics, LO 2016).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

  16. Approximate analytical description of the elastic strain field due to an inclusion in a continuous medium with cubic anisotropy

    Nenashev, A. V., Koshkarev, A. A. & Dvurechenskii, A. V., 14 мар. 2018, в: Journal of Applied Physics. 123, 10, 11 стр., 105104.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  17. Arrays of Metal Nanostructures for Plasmon-enhanced Spectroscopy

    Milekhin, A. G., Kuznetsov, S. A., Rodyakina, E. E., Anikin, K. V., Milekhin, I. A., Veber, S. L., Latyshev, A. V. & Zahn, D. R. T., 23 апр. 2020, в: Journal of Physics: Conference Series. 1461, 1, 4 стр., 012100.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  18. A Study of the Crystal Structure of Co40Fe40B20 Epitaxial Films on a Bi2Te3 Topological Insulator

    Kaveev, A. K., Suturin, S. M., Sokolov, N. S., Kokh, K. A. & Tereshchenko, O. E., 1 мар. 2018, в: Technical Physics Letters. 44, 3, стр. 184-186 3 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  19. Asymmetry of anticrossing between atomic steps on metal and semiconductor surfaces

    Khoroshilov, V. S., Kazantsev, D. M., Alperovich, V. L., Coupeau, C. & Drouet, M., 28 мар. 2022, в: Journal of Physics: Conference Series. 2227, 1, 012008.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  20. Atomic and electronic structure of oxygen polyvacancies in ZrO2

    Perevalov, T. V. & Islamov, D. R., 25 июн. 2017, в: Microelectronic Engineering. 178, стр. 275-278 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  21. Atomic and Electronic Structures of Intrinsic Defects in Ta2O5: Ab Initio Simulation

    Perevalov, T. V., Islamov, D. R. & Chernykh, I. G., 1 июн. 2018, в: JETP Letters. 107, 12, стр. 761-765 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  22. Atomic and electronic structures of the native defects responsible for the resistive effect in HfO2: ab initio simulations

    Perevalov, T. V. & Islamov, D. R., 15 авг. 2019, в: Microelectronic Engineering. 216, 5 стр., 111038.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  23. Atomic Force Microscopy Local Oxidation of GeO Thin Films

    Astankova, K. N., Kozhukhov, A. S., Gorokhov, E. B., Azarov, I. A. & Latyshev, A. V., 1 дек. 2018, в: Semiconductors. 52, 16, стр. 2081-2084 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  24. Atomic Processes on the Silicon Surface

    Latyshev, A. V., Fedina, L. I., Kosolobov, S. S., Sitnikov, S. V., Rogilo, D. I., Rodyakina, E. E., Nasimov, D. A., Sheglov, D. V. & Aseev, A. L., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Inc., стр. 189-221 33 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

  25. Atomic Rearrangements and Photoemission Processes at a p-GaN(Cs)–Vacuum Interface

    Bakin, V. V., Kosolobov, S. N., Rozhkov, S. A., Scheibler, H. E. & Terekhov, A. S., 1 авг. 2018, в: JETP Letters. 108, 3, стр. 180-184 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  26. Atomic Structure and Optical Properties of CaSi2 Layers Grown on CaF2/Si Substrates

    Zinovyev, V. A., Kacyuba, A. V., Volodin, V. A., Zinovieva, A. F., Cherkova, S. G., Smagina, Z. V., Dvurechenskii, A. V., Krupin, A. Y., Borodavchenko, O. M., Zhivulko, V. D. & Mudryi, A. V., окт. 2021, в: Semiconductors. 55, 10, стр. 808-811 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  27. Atomic Structure of Semiconductor Low-Dimensional Heterosystems

    Gutakovskii, A. K., Latyshev, A. V. & Aseev, A. L., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Inc., стр. 223-253 31 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

  28. A two-dimensional electron gas sensing motion of a nanomechanical cantilever

    Shevyrin, A. & Pogosov, A., 12 мая 2017, в: Mechanical Sciences. 8, 1, стр. 111-115 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  29. Ballistic geometric resistance resonances in a single surface of a topological insulator

    Maier, H., Ziegler, J., Fischer, R., Kozlov, D., Kvon, Z. D., Mikhailov, N., Dvoretsky, S. A. & Weiss, D., 8 дек. 2017, в: Nature Communications. 8, 1, 6 стр., 2023.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  30. Ballistic magnetotransport in a suspended two-dimensional electron gas with periodic antidot lattices

    Zhdanov, E. Y., Pogosov, A. G., Budantsev, M. V., Pokhabov, D. A. & Bakarov, A. K., 1 янв. 2017, в: Semiconductors. 51, 1, стр. 8-13 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  31. Band gap opening in the BiSbTeSe2 topological surface state induced by ferromagnetic surface reordering

    Kaveev, A. K., Suturin, S. M., Golyashov, V. A., Kokh, K. A., Eremeev, S. V., Estyunin, D. A., Shikin, A. M., Okotrub, A. V., Lavrov, A. N., Schwier, E. F. & Tereshchenko, O. E., дек. 2021, в: Physical Review Materials. 5, 12, 124204.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  32. Band Structure Near the Dirac Point in HgTe Quantum Wells with Critical Thickness

    Shuvaev, A., Dziom, V., Gospodarič, J., Novik, E. G., Dobretsova, A. A., Mikhailov, N. N., Kvon, Z. D. & Pimenov, A., июл. 2022, в: Nanomaterials. 12, 14, 2492.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  33. Band structure of a HgTe-based three-dimensional topological insulator

    Gospodarič, J., Dziom, V., Shuvaev, A., Dobretsova, A. A., Mikhailov, N. N., Kvon, Z. D., Novik, E. G. & Pimenov, A., сент. 2020, в: Physical Review B. 102, 11, 9 стр., 115113.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  34. Band structure of a two-dimensional Dirac semimetal from cyclotron resonance

    Shuvaev, A. M., Dziom, V., Mikhailov, N. N., Kvon, Z. D., Shao, Y., Basov, D. N. & Pimenov, A., 12 окт. 2017, в: Physical Review B. 96, 15, 7 стр., 155434.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  35. Bidirectional surface photovoltage on a topological insulator

    Yoshikawa, T., Sumida, K., Ishida, Y., Chen, J., Nurmamat, M., Akiba, K., Miyake, A., Tokunaga, M., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Shin, S. & Kimura, A., 31 окт. 2019, в: Physical Review B. 100, 16, 165311.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  36. Bielectron Formed in a 2D System by the Spin–Orbit Interaction and Image Forces

    Mahmoodian, M. M. & Chaplik, A. V., 1 мая 2018, в: JETP Letters. 107, 9, стр. 564-568 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  37. Bi2Se3Nanolayer Growth on 2D Printed Graphene

    Antonova, I. V., Kokh, K. A., Nebogatikova, N. A., Suprun, E. A., Golyashov, V. A. & Tereshchenko, O. E., 7 сент. 2022, в: Crystal Growth and Design. 22, 9, стр. 5335-5344 10 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  38. Bound State of an Electron in a MOS Structure Due to the Spin–Orbit Interaction

    Mahmoodian, M. M. & Chaplik, A. V., 1 дек. 2018, в: Journal of Experimental and Theoretical Physics. 127, 6, стр. 1130-1135 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  39. Broadband Antireflection Coatings Composed of Subwavelength-Sized SiGe Particles

    Utkin, D. E., Tsarev, A. V., Utkin, E. N., Latyshev, A. V. & Shklyaev, A. A., 1 сент. 2021, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 57, 5, стр. 494-504 11 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  40. Change of the topological surface states induced by ferromagnetic metals deposited on BiSbTeSe2

    Kaveev, A. K., Terpitskiy, A. N., Tereshchenko, O. E., Golyashov, V. A., Estyunin, D. A., Shikin, A. M. & Schwier, E. F., 17 дек. 2020, в: Journal of Physics: Conference Series. 1697, 1, 012095.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  41. Charge transport in thin hafnium and zirconium oxide films

    Islamov, D. R., Gritsenko, V. A. & Chin, A., 1 мар. 2017, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 53, 2, стр. 184-189 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  42. Charge transport mechanism in dielectrics: drift and diffusion of trapped charge carriers

    Pil’nik, A. A., Chernov, A. A. & Islamov, D. R., 1 дек. 2020, в: Scientific Reports. 10, 1, 10 стр., 15759.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  43. CH3NH3PbI3 crystal growth, structure and composition

    Anikeeva, V. E., Semenova, O. I. & Tereshchenko, O. E., 1 янв. 2018, в: Journal of Physics: Conference Series. 1124, 4, 041008.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  44. Collective Modes in the Luminescent Response of Si Nanodisk Chains with Embedded GeSi Quantum Dots

    Zinovyev, V. A., Smagina, Z. V., Zinovieva, A. F., Rodyakina, E. E., Kacyuba, A. V., Astankova, K. N., Volodin, V. A., Baryshnikova, K. V., Petrov, M. I., Mikhailovskii, M. S., Verbus, V. A., Stepikhova, M. V. & Novikov, A. V., нояб. 2023, в: Photonics. 10, 11, 1248.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  45. Comment on "charge transport in disordered semiconducting polymers driven by nuclear tunneling"

    Nenashev, A. V., Gebhard, F. & Baranovskii, S. D., 1 авг. 2020, в: Physical Review B. 102, 6, 1 стр., 066201.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  46. Comment on “Interplay of Structural and Optoelectronic Properties in Formamidinium Mixed Tin-Lead Triiodide Perovskites”

    Baranovskii, S. D., Höhbusch, P., Nenashev, A. V., Dvurechenskii, A. V., Gerhard, M., Hertel, D., Meerholz, K., Koch, M. & Gebhard, F., 25 июл. 2022, в: Advanced Functional Materials. 32, 30, 2201309.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  47. Conductance oscillations and zero-bias anomaly in a single superconducting junction to a three-dimensional Bi2Te3 topological insulator

    Shvetsov, O. O., Kostarev, V. A., Kononov, A., Golyashov, V. A., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E. & Deviatov, E. V., 1 сент. 2017, в: Europhysics Letters. 119, 5, 5 стр., 57009.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  48. Conduction mechanisms of TaN/HfO x /Ni memristors

    Voronkovskii, V. A., Aliev, V. S., Gerasimova, A. K. & Islamov, D. R., 5 апр. 2019, в: Materials Research Express. 6, 7, 7 стр., 076411.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  49. Contact of the intrinsic magnetic topological insulator Mn(Bi,Sb)2Te4 with a superconducting Pb film

    Estyunin, D. A., Makarova, T. P., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Shikin, A. M. & Klimovskikh, I. I., 15 окт. 2022, в: Physical Review B. 106, 15, 155305.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  50. Controlling the Si(001) Surface Morphology upon Thermal Annealing in a Vacuum Chamber

    Rodyakina, E. E., Sitnikov, S. V., Rogilo, D. I. & Latyshev, A. V., 1 нояб. 2018, в: Russian Microelectronics. 47, 6, стр. 365-370 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  51. Coulomb Center in a Transition Metal Dichalcogenide Monolayer

    Mahmoodian, M. M. & Chaplik, A. V., нояб. 2021, в: JETP Letters. 114, 9, стр. 545-550 6 стр., 7.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  52. CPU vs RAM in the Issue of ab initio Simulations of Doped Hafnium Oxide for RRAM and FRAM

    Perevalov, T. V. & Islamov, D. R., 2023, в: Supercomputing Frontiers and Innovations. 10, 3, стр. 18-26 9 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  53. Crossing and anticrossing of 1D subbands in a quantum point contact with in-plane side gates

    Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Zhdanov, E. Y., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., 4 янв. 2021, в: Applied Physics Letters. 118, 1, 5 стр., 012104.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  54. Crystalline structure and magnetic properties of structurally ordered cobalt-iron alloys grown on Bi-containing topological insulators and systems with giant Rashba splitting

    Kaveev, A. K., Sokolov, N. S., Suturin, S. M., Zhiltsov, N. S., Golyashov, V. A., Kokh, K. A., Prosvirin, I. P., Tereshchenko, O. E. & Sawada, M., 28 июн. 2018, в: CrystEngComm. 20, 24, стр. 3419-3427 9 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  55. Crystal structure of thin CaSi2 films grown by radiation-induced epitaxy

    Kacyuba, A. V., Dvurechenskii, A. V., Kamaev, G. N., Volodin, V. A. & Krupin, A. Y., 15 мая 2021, в: Journal of Crystal Growth. 562, 126080.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  56. Cyclotron-resonance-induced photogalvanic effect in surface states of 200-nm-thick strained HgTe films

    Candussio, S., Budkin, G. V., Otteneder, M., Kozlov, D. A., Dmitriev, I. A., Bel'Kov, V. V., Kvon, Z. D., Mikhailov, N. N., Dvoretsky, S. A. & Ganichev, S. D., 23 мая 2019, в: Physical Review Materials. 3, 5, 11 стр., 054205.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  57. Demonstration of high sensitivity of microwave-induced resistance oscillations to circular polarization

    Savchenko, M. L., Shuvaev, A., Dmitriev, I. A., Ganichev, S. D., Kvon, Z. D. & Pimenov, A., 15 окт. 2022, в: Physical Review B. 106, 16, L161408.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  58. Dependence of the Luminescence Properties of Ordered Groups of Ge(Si) Nanoislands on the Parameters of the Pit-Patterned Surface of a Silicon-on-Insulator Substrate

    Smagina, Z. V., Zinovyev, V. A., Stepikhova, M. V., Peretokin, A. V., Dyakov, S. A., Rodyakina, E. E., Novikov, A. V. & Dvurechenskii, A. V., февр. 2022, в: Semiconductors. 56, 2, стр. 101-106 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  59. Determination of trap density in hafnia films produced by two atomic layer deposition techniques

    Islamov, D. R., Gritsenko, V. A. & Lebedev, M. S., 25 июн. 2017, в: Microelectronic Engineering. 178, стр. 104-107 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  60. Determination of trap density in hafnium oxide films produced by different atomic layer deposition techniques

    Islamov, D. R., Gritsenko, V. A. & Lebedev, M. S., 1 янв. 2017, SEMICONDUCTORS, DIELECTRICS, AND METALS FOR NANOELECTRONICS 15: IN MEMORY OF SAMARES KAR. Misra, D., DeGendt, S., Houssa, M., Kita, K. & Landheer, D. (ред.). 1 ред. Electrochemical Society, Inc., Том 80. стр. 265-270 6 стр. (ECS Transactions; том 80).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  61. Dirac cone intensity asymmetry and surface magnetic field in V-doped and pristine topological insulators generated by synchrotron and laser radiation

    Shikin, A. M., Rybkina, A. A., Estyunin, D. A., Sostina, D. M., Klimovskikh, I. I., Voroshnin, V. Y., Rybkin, A. G., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Petaccia, L., Di Santo, G., Kimura, A., Skirdkov, P. N., Zvezdin, A. K. & Zvezdin, A. K., 25 апр. 2018, в: Scientific Reports. 8, 1, стр. 6544 9 стр., 6544.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  62. Dirac gap opening and Dirac-fermion-mediated magnetic coupling in antiferromagnetic Gd-doped topological insulators and their manipulation by synchrotron radiation

    Shikin, A. M., Estyunin, D. A., Surnin, Y. I., Koroleva, A. V., Shevchenko, E. V., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Kumar, S., Schwier, E. F., Shimada, K., Yoshikawa, T., Saitoh, Y., Takeda, Y. & Kimura, A., 18 мар. 2019, в: Scientific Reports. 9, 1, стр. 4813 17 стр., 4813.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  63. Double-Channel Electron Transport in Suspended Quantum Point Contacts with in-Plane Side Gates

    Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Zhdanov, E. Y., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., дек. 2020, в: Semiconductors. 54, 12, стр. 1605-1610 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  64. Edge capacitance of a two-dimensional topological insulator

    Entin, M. V. & Braginsky, L., 1 сент. 2017, в: Physical Review B. 96, 11, 4 стр., 115403.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  65. Edge state magnetoresistance of a two-dimensional topological insulator

    Braginsky, L. S. & Entin, M. V., мая 2021, в: EPL. 134, 3, 37001.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  66. Edge States and Capacitance of a 2D Topological Insulator

    Braginsky, L. S. & Entin, M. V., 1 июн. 2019, в: Physica Status Solidi (B) Basic Research. 256, 6, 4 стр., 1800675.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  67. Edge states in lateral p-n junctions in inverted-band HgTe quantum wells

    Piatrusha, S. U., Khrapai, V. S., Kvon, Z. D., Mikhailov, N. N., Dvoretsky, S. A. & Tikhonov, E. S., 20 дек. 2017, в: Physical Review B. 96, 24, 10 стр., 245417.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  68. Effect of Adhesive Layers on Photocurrent Enhancement in Near-Infrared Quantum-Dot Photodetectors Coupled with Metal-Nanodisk Arrays

    Yakimov, A. I., Kirienko, V. V., Bloshkin, A. A., Dvurechenskii, A. V. & Utkin, D. E., 1 авг. 2021, в: Semiconductors. 55, 8, стр. 654-659 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  69. Effect of Interstitials Embedded in Pre-Patterned Si Substrate on Location of Ge Nanoislands

    Novikov, P. L., Atovullaev, T., Smagina, Z. V., Dvurechenskii, A. V. & Pavskii, K. V., 1 дек. 2017, в: Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. 14, 12, 4 стр., 1700200.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  70. Effect of Mie resonances in coatings consisting of dielectric particles on the light propagation in substrate surface layers

    Shklyaev, A. A., Utkin, D. E., Tsarev, A. V. & Latyshev, A. V., сент. 2023, в: Optical Materials. 143, 114171.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  71. Effect of oxygen vacancies on the ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 stabilization: DFT simulation

    Islamov, D. R. & Perevalov, T. V., 15 авг. 2019, в: Microelectronic Engineering. 216, 4 стр., 111041.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  72. Effect of Rashba splitting on ultrafast carrier dynamics in BiTeI

    Ketterl, A. S., Andres, B., Polverigiani, M., Voroshnin, V., Gahl, C., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Chulkov, E. V., Shikin, A. & Weinelt, M., 3 февр. 2021, в: Physical Review B. 103, 8, 085406.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  73. Elastic Properties of Suspended Conducting GaAs/AlGaAs Nanostructures by Means of Atomic Force Microscopy

    Zhdanov, E. Y., Pogosov, A. G., Pokhabov, D. A., Budantsev, M. V., Kozhukhov, A. S. & Bakarov, A. K., 1 сент. 2018, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 54, 5, стр. 496-501 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  74. Elastic strain field due to an inclusion of a polyhedral shape with a non-uniform lattice misfit

    Nenashev, A. V. & Dvurechenskii, A. V., 28 мар. 2017, в: Journal of Applied Physics. 121, 12, 19 стр., 125102.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  75. Electrically Controlled Spin Injection from Giant Rashba Spin-Orbit Conductor BiTeBr

    Kovács-Krausz, Z., Hoque, A. M., Makk, P., Szentpéteri, B., Kocsis, M., Fülöp, B., Yakushev, M. V., Kuznetsova, T. V., Tereshchenko, O. E., Kokh, K. A., Lukács, I. E., Taniguchi, T., Watanabe, K., Dash, S. P. & Csonka, S., 8 июл. 2020, в: Nano Letters. 20, 7, стр. 4782-4791 10 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  76. Electrically controlled spin polarization in suspended GaAs quantum point contacts

    Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Zhdanov, E. Y., Shevyrin, A. A., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., 1 янв. 2018, в: Journal of Physics: Conference Series. 1124, 6, 061001.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  77. Electrically controlled switching between spatially separated conducting channels in a quantum point contact

    Сарыпов, Д. И., Похабов, Д. А., Погосов, А. Г., Жданов, Е. Ю. & Бакаров, А. К., 2023, в: St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 16, 1.3, стр. 117-123 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  78. Electrical Transport Properties of Vanadium-Doped Bi2Te2.4Se0.6

    Riha, C., Düzel, B., Graser, K., Chiatti, O., Golias, E., Sánchez-Barriga, J., Rader, O., Tereshchenko, O. E. & Fischer, S. F., янв. 2021, в: Physica Status Solidi (B) Basic Research. 258, 1, 6 стр., 2000088.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  79. Electrochemically exfoliated thin Bi2Se3 films and van der Waals heterostructures Bi2Se3/graphene

    Antonova, I. V., Nebogatikova, N. A., Kokh, K. A., Kustov, D. A., Soots, R. A., Golyashov, V. A. & Tereshchenko, O. E., 7 янв. 2020, в: Nanotechnology. 31, 12, 7 стр., 125602.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  80. Electromechanical coupling in suspended nanomechanical resonators with a two-dimensional electron gas

    Shevyrin, A. A., Pogosov, A. G., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., 15 авг. 2017, в: Journal of Physics: Conference Series. 864, 1, 4 стр., 012043.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  81. Electromigration effect on the surface morphology during the Ge deposition on Si(1 1 1) at high temperatures

    Shklyaev, A. A. & Latyshev, A. V., 28 янв. 2019, в: Applied Surface Science. 465, стр. 10-14 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  82. Electromigration Effect on Vacancy Islands Nucleation on Si(100) Surface during Sublimation

    Sitnikov, S. V., Rodyakina, E. E. & Latyshev, A. V., 1 июн. 2019, в: Semiconductors. 53, 6, стр. 795-799 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  83. Electron-Beam Radiation Effects in Multilayer Structures Grown with the Periodical Deposition of Si and CaF2 on Si(111)

    Dvurechenskii, A. V., Kacyuba, A. V., Kamaev, G. N., Volodin, V. A., Stepina, N. P., Zinovieva, A. F. & Zinovyev, V. A., мая 2023, в: Materials Today: Proceedings. 14, 1, 68.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  84. Electron emission from Cs/GaAs and GaAs(Cs, О) with positive and negative electron affinity

    Zhuravlev, A. G., Khoroshilov, V. S. & Alperovich, V. L., 1 мая 2017, в: JETP Letters. 105, 10, стр. 686-690 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  85. Electron emission from GaAs(Cs,O): Transition from negative to positive effective affinity

    Zhuravlev, A. G., Khoroshilov, V. S. & Alperovich, V. L., 31 июл. 2019, в: Applied Surface Science. 483, стр. 895-900 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  86. Electronic and spin structure of the wide-band-gap topological insulator: Nearly stoichiometric Bi2 Te2 S

    Annese, E., Okuda, T., Schwier, E. F., Iwasawa, H., Shimada, K., Natamane, M., Taniguchi, M., Rusinov, I. P., Eremeev, S. V., Kokh, K. A., Golyashov, V. A., Tereshchenko, O. E., Chulkov, E. V. & Kimura, A., 10 мая 2018, в: Physical Review B. 97, 20, 6 стр., 205113.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  87. Electronic correlation determining correlated plasmons in Sb-doped B i2 S e3

    Das, P. K., Whitcher, T. J., Yang, M., Chi, X., Feng, Y. P., Lin, W., Chen, J. S., Vobornik, I., Fujii, J., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Diao, C. Z., Moon, J., Oh, S., Castro-Neto, A. H., Breese, M. B. H., Wee, A. T. S. & Rusydi, A., 4 сент. 2019, в: Physical Review B. 100, 11, 11 стр., 115109.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  88. Electronic Spectrum and Optical Properties of Quantum Wires Made from Transition Metal Dichalcogenides

    Vitlina, R. Z., Magarill, L. I. & Chaplik, A. V., 1 окт. 2019, в: JETP Letters. 110, 8, стр. 540-544 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  89. Electronic Structure of Magnetic Topological Insulators Mn(Bi1 –xSb x)2Te4 with Various Concentration of Sb Atoms

    Glazkova, D. A., Estyunin, D. A., Klimovskikh, I. I., Makarova, T. P., Tereshchenko, O. E., Kokh, K. A., Golyashov, V. A., Koroleva, A. V. & Shikin, A. M., мар. 2022, в: JETP Letters. 115, 5, стр. 286-291 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  90. Electronic Structure of Oxygen Vacancies in the Orthorhombic Noncentrosymmetric Phase Hf0.5Zr0.5O2

    Perevalov, T. V., Gritsenko, V. A., Islamov, D. R. & Prosvirin, I. P., 1 янв. 2018, в: JETP Letters. 107, 1, стр. 55-60 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  91. Electronic Structure of Pb Adsorbed Surfaces of Intrinsic Magnetic Topological Insulators

    Klimovskikh, I. I., Estyunin, D. A., Makarova, T. P., Tereshchenko, O. E., Kokh, K. A. & Shikin, A. M., 28 июл. 2022, в: The journal of physical chemistry letters. 13, 29, стр. 6628-6634 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  92. Electronic structure of stoichiometric and oxygen-deficient ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2

    Perevalov, T. V., Islamov, D. R., Gritsenko, V. A. & Prosvirin, I. P., 11 мая 2018, в: Nanotechnology. 29, 19, 8 стр., 194001.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  93. Electronic thermal conductivity in 2D topological insulator in a HgTe quantum well

    Gusev, G. M., Kvon, Z. D., Levin, A. D., Olshanetsky, E. B., Raichev, O. E., Mikhailov, N. N. & Dvoretsky, S. A., 29 янв. 2019, в: Scientific Reports. 9, 1, стр. 831 7 стр., 831.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  94. Electron Paramagnetic Resonance in Ge/Si Heterostructures with Mn-Doped Quantum Dots

    Zinovieva, A. F., Zinovyev, V. A., Stepina, N. P., Katsuba, A. V., Dvurechenskii, A. V., Gutakovskii, A. K., Kulik, L. V., Bogomyakov, A. S., Erenburg, S. B., Trubina, S. V. & Voelskow, M., 1 февр. 2019, в: JETP Letters. 109, 4, стр. 270-275 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  95. Electron spatial localization tuned by strain in Ge/Si quantum dot heterostructures

    Zinovieva, A. F., Zinovyev, V. A., Nenashev, A. V., Kulik, L. V. & Dvurechenskii, A. V., 22 мар. 2019, в: Physical Review B. 99, 11, 9 стр., 115314.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  96. Electron Spectrum and Interband Magneto-Absorption of Light by Two-Dimensional Systems with Antidots

    Vitlina, R. Z., Magarill, L. I. & Chaplik, A. V., дек. 2020, в: Journal of Experimental and Theoretical Physics. 131, 6, стр. 1021-1025 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  97. Electron Spin Resonance in Heterostructures with Ring Molecules of GeSi Quantum Dots

    Zinovieva, A. F., Zinovyev, V. A., Nenashev, A. V., Shklyaev, A. A., Kulik, L. V. & Dvurechenskii, A. V., янв. 2021, в: JETP Letters. 113, 1, стр. 52-56 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  98. Electron Transport: From Nanostructures to Nanoelectromechanical Systems

    Pogosov, A. G., Budantsev, M. V., Shevyrin, A. A., Zhdanov, E. Y. & Pokhabov, D. A., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Inc., стр. 101-129 29 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

  99. Electrostatic actuation and charge sensing in piezoelectric nanomechanical resonators with a two-dimensional electron gas

    Shevyrin, A. A., Pogosov, A. G., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., 3 мая 2021, в: Applied Physics Letters. 118, 18, 183105.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  100. Element base of quantum informatics II: Quantum communications with single photons

    Ryabtsev, I. I., Tretyakov, D. B., Kolyako, A. V., Pleshkov, A. S., Entin, V. M., Neizvestny, I. G., Latyshev, A. V. & Aseev, A. L., 1 мар. 2017, в: Russian Microelectronics. 46, 2, стр. 121-130 10 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1 2 3 4 5 Далее

ID: 3084764