Crystal structure of thin CaSi2 films grown by radiation-induced epitaxy › Обзор исследований

DOI

https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2021.126080
Конечная издательская версия

Aleksey V. Kacyuba
Anatoly V. Dvurechenskii
Genadiy N. Kamaev
Vladimir A. Volodin
Aleksey Y. Krupin

Язык оригинала	английский
Номер статьи	126080
Журнал	Journal of Crystal Growth
Том	562
DOI	https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2021.126080
Состояние	Опубликовано - 15 мая 2021

Предметные области OECD FOS+WOS

1.04.FI КРИСТАЛЛОГРАФИЯ
2.05.PM МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ, МУЛЬТИДИСЦИПЛИНАРНОЕ
1.03.UB ФИЗИКА, ПРИКЛАДНАЯ

ID: 27967173