Результаты исследований

1. The increase in band bending at the p-GaN(Cs) - Vacuum interface due to the photoemission from surface states

   Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

2. Surface photovoltage in a p-GaN(Cs) photocathode

   Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

3. Atomic Rearrangements and Photoemission Processes at a p-GaN(Cs)–Vacuum Interface

   Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Просмотреть все (4) »