1. 2019
  2. Erratum to: Bound State of an Electron in a MOS Structure Due to the Spin–Orbit Interaction (Journal of Experimental and Theoretical Physics, (2018), 127, 6, (1130-1135), 10.1134/S1063776118120075)

    Mahmoodian, M. M. & Chaplik, A. V., 1 мая 2019, в: Journal of Experimental and Theoretical Physics. 128, 5, стр. 816-816 1 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › комментарий, выступление › Рецензирование

  3. The role of a plasmonic substrate on the enhancement and spatial resolution of tip-enhanced Raman scattering

    Rahaman, M., Milekhin, A. G., Mukherjee, A., Rodyakina, E. E., Latyshev, A. V., Dzhagan, V. M. & Zahn, D. R. T., 1 мая 2019, в: Faraday Discussions. 214, стр. 309-323 15 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Monte Carlo simulation of roughening at step-terraced surfaces

    Kazantsev, D. M., Shwartz, N. L. & Alperovich, V. L., 17 апр. 2019, в: Journal of Physics: Conference Series. 1199, 1, 012010.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  5. Surface photovoltage in a p-GaN(Cs) photocathode

    Rozhkov, S. A., Bakin, V. V., Gorshkov, D. V., Kosolobov, S. N. & Scheibler, H. E., 17 апр. 2019, в: Journal of Physics: Conference Series. 1199, 1, 012031.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  6. Conduction mechanisms of TaN/HfO x /Ni memristors

    Voronkovskii, V. A., Aliev, V. S., Gerasimova, A. K. & Islamov, D. R., 5 апр. 2019, в: Materials Research Express. 6, 7, 7 стр., 076411.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Evolution of Micropits on Large Terraces of the Si(111) Surface during High-Temperature Annealing

    Petrov, A. S., Sitnikov, S. V., Kosolobov, S. S. & Latyshev, A. V., 1 апр. 2019, в: Semiconductors. 53, 4, стр. 434-438 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Electron spatial localization tuned by strain in Ge/Si quantum dot heterostructures

    Zinovieva, A. F., Zinovyev, V. A., Nenashev, A. V., Kulik, L. V. & Dvurechenskii, A. V., 22 мар. 2019, в: Physical Review B. 99, 11, 9 стр., 115314.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Superradiant and transport lifetimes of the cyclotron resonance in the topological insulator HgTe

    Gospodarič, J., Dziom, V., Shuvaev, A., Dobretsova, A. A., Mikhailov, N. N., Kvon, Z. D. & Pimenov, A., 20 мар. 2019, в: Physical Review B. 99, 11, 5 стр., 115130.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Dirac gap opening and Dirac-fermion-mediated magnetic coupling in antiferromagnetic Gd-doped topological insulators and their manipulation by synchrotron radiation

    Shikin, A. M., Estyunin, D. A., Surnin, Y. I., Koroleva, A. V., Shevchenko, E. V., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Kumar, S., Schwier, E. F., Shimada, K., Yoshikawa, T., Saitoh, Y., Takeda, Y. & Kimura, A., 18 мар. 2019, в: Scientific Reports. 9, 1, стр. 4813 17 стр., 4813.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. Identification of the nature of traps involved in the field cycling of Hf0.5Zr0.5O2-based ferroelectric thin films

    Islamov, D. R., Gritsenko, V. A., Perevalov, T. V., Pustovarov, V. A., Orlov, O. M., Chernikova, A. G., Markeev, A. M., Slesazeck, S., Schroeder, U., Mikolajick, T. & Krasnikov, G. Y., 1 мар. 2019, в: Acta Materialia. 166, стр. 47-55 9 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  12. Resonance reflection of light by ordered silicon nanopillar arrays with the vertical p-n junction

    Basalaeva, L. S., Nastaushev, Y. V., Kryzhanovskaya, N. V., Moiseev, E. I., Radnatarov, D. A., Khripunov, S. A., Utkin, D. E., Chistokhin, I. B., Latyshev, A. V. & Dultsev, F. N., 28 февр. 2019, в: Thin Solid Films. 672, стр. 109-113 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  13. Electron Paramagnetic Resonance in Ge/Si Heterostructures with Mn-Doped Quantum Dots

    Zinovieva, A. F., Zinovyev, V. A., Stepina, N. P., Katsuba, A. V., Dvurechenskii, A. V., Gutakovskii, A. K., Kulik, L. V., Bogomyakov, A. S., Erenburg, S. B., Trubina, S. V. & Voelskow, M., 1 февр. 2019, в: JETP Letters. 109, 4, стр. 270-275 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  14. Energy relaxation of hot carriers near the charge neutrality point in HgTe-based 2D topological insulators

    Rahim, A., Gusev, G. M., Kvon, Z. D., Olshanetsky, E. B., Mikhailov, N. N. & Dvoretsky, S. A., 1 февр. 2019, в: Microelectronic Engineering. 206, стр. 55-59 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  15. Inverted Dirac-electron population for broadband lasing in a thermally activated p-type topological insulator

    Sumida, K., Ishida, Y., Yoshikawa, T., Chen, J., Nurmamat, M., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Shin, S. & Kimura, A., 1 февр. 2019, в: Physical Review B. 99, 8, 6 стр., 085302.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  16. On-chip Piezoelectric Actuation of Nanomechanical Resonators Containing a Two-dimensional Electron Gas

    Shevyrin, A. A., Bakarov, A. K., Shklyaev, A. A., Arakcheev, A. S., Kurosu, M., Yamaguchi, H. & Pogosov, A. G., 1 февр. 2019, в: JETP Letters. 109, 4, стр. 261-265 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  17. Plasmon Enhancement of the Electric Field in Mid-Infrared Ge/Si Quantum-Dot Photodetectors with Different Thicknesses of the Active Region

    Bloshkin, A. A., Yakimov, A. I. & Dvurechenskii, A. V., 1 февр. 2019, в: Semiconductors. 53, 2, стр. 195-199 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  18. Polaron Shift of the Levels of a Quantum Wire in a Hybrid Structure with a Bose—Einstein Condensate

    Kalameitsev, A. V., Mahmoodian, M. M. & Chaplik, A. V., 1 февр. 2019, в: JETP Letters. 109, 3, стр. 198-202 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  19. Spin splitting of surface states in HgTe quantum wells

    Dobretsova, A. A., Kvon, Z. D., Krishtopenko, S. S., Mikhailov, N. N. & Dvoretsky, S. A., 1 февр. 2019, в: Low Temperature Physics. 45, 2, стр. 159-164 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  20. Spin splitting of surface states in HgTe quantum wells

    Dobretsova, A. A., Kvon, Z. D., Krishtopenko, S. S., Mikhailov, N. N. & Dvoretsky, S. A., 1 февр. 2019, в: Fizika Nizkikh Temperatur. 45, 2, стр. 185-191 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  21. Electronic thermal conductivity in 2D topological insulator in a HgTe quantum well

    Gusev, G. M., Kvon, Z. D., Levin, A. D., Olshanetsky, E. B., Raichev, O. E., Mikhailov, N. N. & Dvoretsky, S. A., 29 янв. 2019, в: Scientific Reports. 9, 1, стр. 831 7 стр., 831.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  22. Electromigration effect on the surface morphology during the Ge deposition on Si(1 1 1) at high temperatures

    Shklyaev, A. A. & Latyshev, A. V., 28 янв. 2019, в: Applied Surface Science. 465, стр. 10-14 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  23. Structural and vibrational properties of PVT grown BiTeCl microcrystals

    Atuchin, V. V., Gavrilova, T. A., Kokh, K. A., Kuratieva, N. V., Pervukhina, N. V., Surovtsev, N. V. & Tereshchenko, O. E., 28 янв. 2019, в: Materials Research Express. 6, 4, 7 стр., 045912.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  24. The effect of surface on conductivity of PbSnTe:IN/BaF2 topological crystalline insulator in space charge limited current regimes

    Nikolaevich, A. A., Vladimirovich, F. E., Eduardovich, K. A., Vyacheslavovich, I. D., Sergeevich, P. N., Evgenievich, T. O. & Nikolaevna, S. V., 1 янв. 2019, Physics and Technology of Nanostructured Materials IV (Supplement Book). Galkin, N. G. (ред.). Trans Tech Publications Ltd, стр. 3-9 7 стр. (Key Engineering Materials; том 806 KEM).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  25. Thermoelectric transport in two-dimensional topological insulator state based on HgTe quantum well

    Gusev, G. M., Raichev, O. E., Olshanetsky, E. B., Levin, A. D., Kvon, Z. D., Mikhailov, N. N. & Dvoretsky, S. A., 1 янв. 2019, в: 2D Materials. 6, 1, 11 стр., 014001.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  26. В поисках универсальной памяти

    Исламов, Д. Р., 2019, Сборник тезисов, материалы Двадцать пятой Всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых ученых (ВНКСФ-25, Крым). Екатеринбург: Издательство АСФ России, стр. 139-141 3 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  27. Выявление корреляции между концентрациями нейтральных и заряженных ловушек в тонких пленках оксида гафния

    Залялов, Т. М. & Исламов, Д. Р., 2019, Сборник тезисов, материалы Двадцать пятой Всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых ученых (ВНКСФ-25, Крым). Екатеринбург: Издательство АСФ России, стр. 136-137 2 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  28. 2018
  29. Relaxational kinetics of photoemission and photon-enhanced thermionic emission from p-GaAs surface with nonequilibrium Cs overlayers

    Zhuravlev, A. G. & Alperovich, V. L., 15 дек. 2018, в: Applied Surface Science. 461, стр. 10-16 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  30. Atomic Force Microscopy Local Oxidation of GeO Thin Films

    Astankova, K. N., Kozhukhov, A. S., Gorokhov, E. B., Azarov, I. A. & Latyshev, A. V., 1 дек. 2018, в: Semiconductors. 52, 16, стр. 2081-2084 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  31. Bound State of an Electron in a MOS Structure Due to the Spin–Orbit Interaction

    Mahmoodian, M. M. & Chaplik, A. V., 1 дек. 2018, в: Journal of Experimental and Theoretical Physics. 127, 6, стр. 1130-1135 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  32. Plasmonic Enhancement of the Photoluminescence in Hybrid Structures with SiGe Quantum Dots and Ag Nanoislands

    Zinovyev, V. A., Zinovieva, A. F., Katsuba, A. V., Smagina, Z. V., Dvurechenskii, A. V., Borodavchenko, O. M., Zhivulko, V. D. & Mudryi, A. V., 1 дек. 2018, в: Semiconductors. 52, 16, стр. 2149-2152 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  33. Towards microscopic control of the magnetic exchange coupling at the surface of a topological insulator

    Rüßmann, P., Mahatha, S. K., Sessi, P., Valbuena, M. A., Bathon, T., Fauth, K., Godey, S., Mugarza, A., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Gargiani, P., Valvidares, M., Jiménez, E., Brookes, N. B., Bode, M., Bihlmayer, G., Blügel, S., Mavropoulos, P., Carbone, C. & Barla, A., дек. 2018, в: JPhys Materials. 1, 1, 015002.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  34. A highly porous surface of synthetic monocrystalline diamond: Effect of etching by Fe nanoparticles in hydrogen atmosphere

    Chepurov, A., Sonin, V., Shcheglov, D., Latyshev, A., Filatov, E. & Yelisseyev, A., 1 нояб. 2018, в: International Journal of Refractory Metals and Hard Materials. 76, стр. 12-15 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  35. Controlling the Si(001) Surface Morphology upon Thermal Annealing in a Vacuum Chamber

    Rodyakina, E. E., Sitnikov, S. V., Rogilo, D. I. & Latyshev, A. V., 1 нояб. 2018, в: Russian Microelectronics. 47, 6, стр. 365-370 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  36. Gapless Dirac Electron Mobility and Quantum Time in HgTe Quantum Wells

    Dobretsova, A. A., Kvon, Z. D., Braginskii, L. S., Entin, M. V. & Mikhailov, N. N., 1 нояб. 2018, в: Semiconductors. 52, 11, стр. 1468-1472 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  37. Landau Level Broadening in the Three-Dimensional Topological Insulator Sb2Te3

    Storz, O., Sessi, P., Wilfert, S., Dirker, C., Bathon, T., Kokh, K., Tereshchenko, O. & Bode, M., 1 нояб. 2018, в: Physica Status Solidi - Rapid Research Letters. 12, 11, 5 стр., 1800112.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › письмо/краткое сообщение › Рецензирование

  38. Nucleation of Three-Dimensional Ge Islands on a Patterned Si(100) Surface

    Rudin, S. A., Smagina, Z. V., Zinovyev, V. A., Novikov, P. L., Nenashev, A. V., Rodyakina, E. E. & Dvurechenskii, A. V., 1 нояб. 2018, в: Semiconductors. 52, 11, стр. 1457-1461 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  39. Release of carriers from traps enhanced by hopping

    Nenashev, A. V., Valkovskii, V. V., Oelerich, J. O., Dvurechenskii, A. V., Semeniuk, O., Reznik, A., Gebhard, F. & Baranovskii, S. D., 30 окт. 2018, в: Physical Review B. 98, 15, 10 стр., 155207.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  40. Two-dimensional semimetal in HgTe quantum well under hydrostatic pressure

    Prudkoglyad, V. A., Olshanetsky, E. B., Kvon, Z. D., Pudalov, V. M., Mikhailov, N. N. & Dvoretsky, S. A., 24 окт. 2018, в: Physical Review B. 98, 15, 10 стр., 155437.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  41. Subcycle observation of lightwave-driven Dirac currents in a topological surface band

    Reimann, J., Schlauderer, S., Schmid, C. P., Langer, F., Baierl, S., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Kimura, A., Lange, C., Güdde, J., Höfer, U. & Huber, R., 18 окт. 2018, в: Nature. 562, 7727, стр. 396-400 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  42. Spin mixing between subbands and extraordinary Landau-level shift in wide HgTe quantum wells

    Dobretsova, A. A., Chepelianskii, A. D., Mikhailov, N. N. & Kvon, Z. D., 11 окт. 2018, в: Physical Review B. 98, 15, 10 стр., 155310.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  43. Origin of spin-polarized photocurrents in the topological surface states of Bi2Se3

    Ketterl, A. S., Otto, S., Bastian, M., Andres, B., Gahl, C., Minár, J., Ebert, H., Braun, J., Tereshchenko, O. E., Kokh, K. A., Fauster, T. & Weinelt, M., 8 окт. 2018, в: Physical Review B. 98, 15, 7 стр., 155406.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  44. Nanoantenna structures for the detection of phonons in nanocrystals

    Milekhin, A. G., Kuznetsov, S. A., Milekhin, I. A., Sveshnikova, L. L., Duda, T. A., Rodyakina, E. E., Latyshev, A. V., Dzhagan, V. M. & Zahn, D. R. T., 5 окт. 2018, в: Beilstein Journal of Nanotechnology. 9, стр. 2646-2656 11 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  45. Enhanced surface state protection and band gap in the topological insulator PbBi4 Te4 S3

    Sumida, K., Natsumeda, T., Miyamoto, K., Silkin, I. V., Kuroda, K., Shirai, K., Zhu, S., Taguchi, K., Arita, M., Fujii, J., Varykhalov, A., Rader, O., Golyashov, V. A., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Chulkov, E. V., Okuda, T. & Kimura, A., 1 окт. 2018, в: Physical Review Materials. 2, 10, 8 стр., 104201.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  46. The Evolution of the Conductivity and Cathodoluminescence of the Films of Hafnium Oxide in the Case of a Change in the Concentration of Oxygen Vacancies

    Islamov, D. R., Gritsenko, V. A., Kruchinin, V. N., Ivanova, E. V., Zamoryanskaya, M. V. & Lebedev, M. S., 1 окт. 2018, в: Physics of the Solid State. 60, 10, стр. 2050-2057 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  47. Analytical Expression for the Distribution of Elastic Strain Created by a Polyhedral Inclusion with Arbitrary Eigenstrain

    Nenashev, A. V. & Dvurechenskii, A. V., 1 сент. 2018, в: Physics of the Solid State. 60, 9, стр. 1807-1812 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  48. Elastic Properties of Suspended Conducting GaAs/AlGaAs Nanostructures by Means of Atomic Force Microscopy

    Zhdanov, E. Y., Pogosov, A. G., Pokhabov, D. A., Budantsev, M. V., Kozhukhov, A. S. & Bakarov, A. K., 1 сент. 2018, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 54, 5, стр. 496-501 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  49. Raman Scattering by Plasma Oscillations in Quantum Rings

    Vitlina, R. Z., Magarill, L. I. & Chaplik, A. V., 1 сент. 2018, в: JETP Letters. 108, 5, стр. 292-295 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  50. Steps of the Giant Terahertz Photoconductance of a Tunneling Point Contact

    Tkachenko, O. A., Tkachenko, V. A., Baksheev, D. G. & Kvon, Z. D., 1 сент. 2018, в: JETP Letters. 108, 6, стр. 396-401 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  51. Study of the Structural and Emission Properties of Ge(Si) Quantum Dots Ordered on the Si(001) Surface

    Smagina, Z. V., Zinovyev, V. A., Krivyakin, G. K., Rodyakina, E. E., Kuchinskaya, P. A., Fomin, B. I., Yablonskiy, A. N., Stepikhova, M. V., Novikov, A. V. & Dvurechenskii, A. V., 1 сент. 2018, в: Semiconductors. 52, 9, стр. 1150-1155 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  52. Atomic Rearrangements and Photoemission Processes at a p-GaN(Cs)–Vacuum Interface

    Bakin, V. V., Kosolobov, S. N., Rozhkov, S. A., Scheibler, H. E. & Terekhov, A. S., 1 авг. 2018, в: JETP Letters. 108, 3, стр. 180-184 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

ID: 3084764