Plasmon Enhancement of the Electric Field in Mid-Infrared Ge/Si Quantum-Dot Photodetectors with Different Thicknesses of the Active Region › Обзор исследований

DOI

https://doi.org/10.1134/S1063782619020039
Конечная издательская версия

Язык оригинала	английский
Страницы (с-по)	195-199
Число страниц	5
Журнал	Semiconductors
Том	53
Номер выпуска	2
DOI	https://doi.org/10.1134/S1063782619020039
Состояние	Опубликовано - 1 февр. 2019

Предметные области OECD FOS+WOS

ID: 20050225