1 - 63 из 63Размер страницы: 100
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2024

  2. Photonic and phononic properties of oriented 5 nm diameter tellurium nanowires

    Poborchii, V. V., Sachkov, V. A., Shklyaev, A. A., Fokin, A. V. & Geshev, P. I., февр. 2024, в: Journal of Physics and Chemistry of Solids. 185, 7 стр., 111806.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. 2023

  4. Redirecting Incident Light with Mie Resonance-Based Coatings

    Shklyaev, A. A., Utkin, D. E., Zheng, Z. & Tsarev, A. V., нояб. 2023, в: Photonics. 10, 11, 1286.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Effect of Mie resonances in coatings consisting of dielectric particles on the light propagation in substrate surface layers

    Shklyaev, A. A., Utkin, D. E., Tsarev, A. V. & Latyshev, A. V., сент. 2023, в: Optical Materials. 143, 114171.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Antireflection microstructures fabricated on the surface of a LiGaSe 2 nonlinear crystal

    Teslenko, A. A., Bushunov, A. A., Isaenko, L. I., Shklyaev, A., Goloshumova, A., Lobanov, S. I., Lazarev, V. A. & Tarabrin, M. K., 1 мар. 2023, в: Optics Letters. 48, 5, стр. 1196-1199 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Coatings consisting of Ge particles on nonwettable Si oxide surfaces and their resonance reflection spectra

    Shklyaev, A. A., 1 мар. 2023, в: Thin Solid Films. 768, 139720.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Electron and hole injection barriers between silicon substrate and RF magnetron sputtered In2O3 : Er films

    Feklistov, K. V., Lemzyakov, A. G., Shklyaev, A. A., Protasov, D. Y., Deryabin, A. S., Spesivsev, E. V., Gulyaev, D. V., Pugachev, A. M. & Esaev, D. G., 2023, в: Modern Electronic Materials. 9, 2, стр. 57-68 12 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Глава 14. Функциональные устройства на основе наночастиц и структура субволнового размера

    Володин, В. А., Ездин, Б. С., Кузнецов, С. А. & Шкляев, А. А., 2023, Квантовые структуры для посткремниевой электроники. Латышев, А. В. (ред.). Новосибирск: Параллель, стр. 192-207 16 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

  10. Изменение направления распространения света покрытиями из диэлектрических частиц

    Шкляев, А. А. & Чжен, Ч., 2023, сборник тезисов: Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых) ФОТОНИКА 2023. стр. 42

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  11. Оптические свойства экстремально тонких нанопроволок теллура, сформированных в каналах субнанометрового диаметра

    Поборчива, В. В., Фокина, А. В. & Шкляев, А. А., 2023, сборник тезисов:Комбинационное Рассеяние - 95 лет исследований. стр. 93

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  12. Рассеяние света покрытиями из частиц субволнового размера

    Шкляев, А. А., 2023, сборник тезисов: Школа молодых ученых по оптическим и фотоэлектрическим свойствам полупроводниковых квантовых систем «Оптика и фотоэлектрика квантовых систем» (ОФКС-2023). стр. 12

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  13. Резонансные оптические свойства решёток из частиц Ge на Si

    Utkin, D., Шкляев, А. А. & Царев, А. В., 2023, Тезисы докладов Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники: Фотоника-2023. Издательство "Перо", стр. 116 1 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  14. Усиление сигнала комбинационного рассеяния света при возбуждении резонансов в решётке из дисков германия субволнового размера

    Шкляев, А. А., Utkin, D., Володин, В. А. & Царев, А. В., 2023, Усиление сигнала комбинационного рассеяния света при возбуждении резонансов в решётке из дисков германия субволнового размера. Издательство "Перо", стр. 72 1 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  15. Усиление сигнала комбинационного рассеяния света при возбуждении резонансов в решётке из дисков германия субволнового размера

    Шкляев, А. А., Уткин, Д. Е., Володин, В. А. & Царев, А. В., 2023, сборник тезисов: Комбинационное Рассеяние - 95 лет исследований. стр. 72

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  16. Формирование частиц Ge на поверхности ITO методами электронной и взрывной литографии

    Utkin, D. & Шкляев, А. А., 2023, Формирование частиц Ge на поверхности ITO методами электронной и взрывной литографии. стр. 162-163 2 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  17. 2022

  18. Способ создания антиотражающих покрытий из частиц германия в виде упорядоченных субмикронных дисков на поверхности КНИ подложек

    Уткин, Д. Е. & Шкляев, А. А., 22 дек. 2022, Новосибирский государственный университет, Патент/Св-во № 79, Дата приоритета 22 дек. 2022

    Результаты исследований: Патенты/Свидетельства о регистрации › свидетельство о регистрации ноу-хау

  19. Аналитический и технологический исследовательский центр "Высокие технологии и наноструктурированные материалы" ФФ НГУ: история, становление и достигнутые результаты

    Гейдт, П. В., Аржанников, А. В., Асеев, А. Л., Шкляев, А. А., Володин, В. А., Азаров, И. А., Зайковский, В. И., Utkin, D., Ларичев, Ю. В., Чепкасов, С. Ю. & Кузнецов, С. А., 17 дек. 2022, в: Сибирский физический журнал. 17, 3, стр. 66-88 23 стр., 9.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  20. Interdisk spacing effect on resonant properties of Ge disk lattices on Si substrates

    Shklyaev, A. A., Utkin, D. E., Tsarev, A. V., Kuznetsov, S. A., Anikin, K. V. & Latyshev, A. V., дек. 2022, в: Scientific Reports. 12, 1, 8123.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  21. Optical properties of extreme tellurium nanowires formed in subnanometer-diameter channels

    Poborchii, V. V., Fokin, A. V. & Shklyaev, A. A., 19 нояб. 2022, в: Nanoscale Advances. 5, 1, стр. 220-227 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  22. Femtosecond Laser Direct Writing of Antireflection Microstructures on the Front and Back Sides of a GaSe Crystal

    Yelisseyev, A., Fedyaj, V., Simonov, V., Isaenko, L., Lobanov, S., Shklyaev, A., Simanchuk, A., Babin, S. & Dostovalov, A., окт. 2022, в: Photonics. 9, 10, 774.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  23. Scintillator surface modification by glancing angle deposition of thin ZrO2films

    Azarov, I. A., Kuper, K. E., Lemzyakov, A. G., Porosev, V. V. & Shklyaev, A. A., 1 мая 2022, в: Journal of Instrumentation. 17, 5, T05013.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  24. Effect of antireflection microstructures on the optical properties of GaSe

    Yelisseyev, A. P., Isaenko, L. I., Lobanov, S. I., Dostovalov, A. V., Bushunov, A. A., Tarabrin, M. K., Teslenko, A. A., Lazarev, V. A., Shklyaev, A. A., Babin, S. A., Goloshumova, A. A. & Gromilov, S. A., 1 апр. 2022, в: Optical Materials Express. 12, 4, стр. 1593-1608 16 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  25. Structural Changes in Nanometer-Thick Silicon-on-Insulator Films During High-Temperature Annealing

    Tyschenko, I. E., Spesivtsev, E. V., Shklyaev, A. A. & Popov, V. P., мар. 2022, в: Semiconductors. 56, 3, стр. 223-229 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  26. Tuning the configuration of quantum dot molecules grown on stacked multilayers of heteroepitaxial islands

    Rudin, S. A., Zinovyev, V. A., Smagina, Z. V., Novikov, P. L., Shklyaev, A. A. & Dvurechenskii, A. V., 21 янв. 2022, в: Journal of Applied Physics. 131, 3, 035302.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  27. 2021

  28. Метод получения антиотражающих покрытий из массива частиц SiGe посредством их самоорганизации на подложках кремния

    Шкляев, А. А. & Utkin, D., 9 дек. 2021, Новосибирский государственный университет, Патент/Св-во № 50, Дата приоритета 8 дек. 2021

    Результаты исследований: Патенты/Свидетельства о регистрации › свидетельство о регистрации ноу-хау

  29. Способ создания конусообразных Si частиц на поверхности кремния без использования процессов травления

    Utkin, D. & Шкляев, А. А., 9 дек. 2021, Новосибирский государственный университет, Патент/Св-во № 51, Дата приоритета 8 дек. 2021

    Результаты исследований: Патенты/Свидетельства о регистрации › свидетельство о регистрации ноу-хау

  30. Synthesis of Si nanoparticle chains and nanowhiskers by the monosilane decomposition in an adiabatic process during cyclic compression

    Ezdin, B. S., Kalyada, V. V., Yatsenko, D. A., Ischenko, A. V., Volodin, V. A. & Shklyaev, A. A., дек. 2021, в: Powder Technology. 394, стр. 996-1003 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  31. Широкополосные просветляющие покрытия из частиц SiGe субволнового размера

    Utkin, D., Царев, А. В., Уткин, Е. Н., Латышев, А. В. & Шкляев, А. А., нояб. 2021, в: Автометрия. 57 , 5, стр. 58-69 12 стр., 7.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  32. Broadband Antireflection Coatings Composed of Subwavelength-Sized SiGe Particles

    Utkin, D. E., Tsarev, A. V., Utkin, E. N., Latyshev, A. V. & Shklyaev, A. A., 1 сент. 2021, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 57, 5, стр. 494-504 11 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  33. Shapes of Ge and Si Particles Created on a Si/SiO2Substrate by Lift-off Technique

    Utkin, D. & Shklyaev, A., 30 июн. 2021, 2021 IEEE 22nd International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials, EDM 2021 - Proceedings. IEEE Computer Society, стр. 33-36 4 стр. 9507661. (International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM; том 2021-June).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  34. Broadband Antireflection Coatings Made of Resonant Submicron- And Micron-Sized SiGe Particles Grown on Si Substrates

    Shklyaev, A. A. & Tsarev, A. V., июн. 2021, в: IEEE Photonics Journal. 13, 3, 9435026.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  35. Electrostatic actuation and charge sensing in piezoelectric nanomechanical resonators with a two-dimensional electron gas

    Shevyrin, A. A., Pogosov, A. G., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., 3 мая 2021, в: Applied Physics Letters. 118, 18, 183105.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  36. Crossing and anticrossing of 1D subbands in a quantum point contact with in-plane side gates

    Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Zhdanov, E. Y., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., 4 янв. 2021, в: Applied Physics Letters. 118, 1, 5 стр., 012104.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  37. Electron Spin Resonance in Heterostructures with Ring Molecules of GeSi Quantum Dots

    Zinovieva, A. F., Zinovyev, V. A., Nenashev, A. V., Shklyaev, A. A., Kulik, L. V. & Dvurechenskii, A. V., янв. 2021, в: JETP Letters. 113, 1, стр. 52-56 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  38. Особенности формирования субмикронных частиц Ge и Si методом обратной литографии

    Utkin, D. & Шкляев, А. А., 2021, Нанофизика и наноэлектроника: Материалы XXV Международного симпозиума. Нижний Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета, Том 2. стр. 885-886 2 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  39. 2020

  40. Double-Channel Electron Transport in Suspended Quantum Point Contacts with in-Plane Side Gates

    Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Zhdanov, E. Y., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., дек. 2020, в: Semiconductors. 54, 12, стр. 1605-1610 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  41. Nanowired structure, optical properties and conduction band offset of RF magnetron-deposited n-Si/In2O3:Er films

    Feklistov, K. V., Lemzyakov, A. G., Prosvirin, I. P., Gismatulin, A. A., Shklyaev, A. A., Zhivodkov, Y. A., Krivyakin, G., Komonov, A. I., Kozhukhov, A. S., Spesivsev, E. V., Gulyaev, D. V., Abramkin, D. S., Pugachev, A. M., Esaev, D. G. & Sidorov, G. Y., дек. 2020, в: Materials Research Express. 7, 12, 11 стр., 125903.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  42. The modification of optical properties of the surfaces by the glancing angle deposition of TiO2

    Lemzyakov, A., Konstantin, K., Porosev, V., Azarov, I. & Shklyaev, A., 17 нояб. 2020, Synchrotron and Free Electron Laser Radiation: Generation and Application, SFR 2020. Knyazev, B. & Vinokurov, N. (ред.). American Institute of Physics Inc., 060008. (AIP Conference Proceedings; том 2299).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  43. Dependence of light reflection of germanium Mie nanoresonators on their aspect ratio

    Utkin, D. E., Anikin, K. V., Veber, S. L. & Shklyaev, A. A., нояб. 2020, в: Optical Materials. 109, 5 стр., 110466.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  44. Formation of submicron- and micron-sized SiGe and Ge particles on Si substrates using dewetting

    Shklyaev, A. A., 23 апр. 2020, в: Journal of Physics: Conference Series. 1461, 1, 3 стр., 012160.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  45. Atomic structure of high Miller index Si(47 35 7) surface

    Zhachuk, R. A., Dolbak, A. E. & Shklyaev, A. A., мар. 2020, в: Surface Science. 693, 5 стр., 121549.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  46. Low-temperature dissipation and its persistent photoinduced change in AlGaAs/GaAs-based nanomechanical resonators

    Shevyrin, A. A., Pogosov, A. G., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., 3 февр. 2020, в: Applied Physics Letters. 116, 5, 5 стр., 053104.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  47. Effect of deposition conditions on the thermal stability of Ge layers on SiO2 and their dewetting behavior

    Dabard, C., Shklyaev, A. A., Armbrister, V. A. & Aseev, A. L., 1 янв. 2020, в: Thin Solid Films. 693, 7 стр., 137681.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  48. 2019

  49. Universal building block for (1 1 0)-family silicon and germanium surfaces

    Zhachuk, R. A. & Shklyaev, A. A., 15 нояб. 2019, в: Applied Surface Science. 494, стр. 46-50 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  50. Suspended quantum point contact with triple channel selectively driven by side gates

    Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Zhdanov, E. Y., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., 7 окт. 2019, в: Applied Physics Letters. 115, 15, 152101.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  51. Nanoscale characterization of photonic metasurface made of lens-like SiGe Mie-resonators formed on Si (100) substrate

    Poborchii, V., Shklyaev, A., Bolotov, L. & Uchida, N., 28 сент. 2019, в: Journal of Applied Physics. 126, 12, 11 стр., 123102.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  52. On-chip Piezoelectric Actuation of Nanomechanical Resonators Containing a Two-dimensional Electron Gas

    Shevyrin, A. A., Bakarov, A. K., Shklyaev, A. A., Arakcheev, A. S., Kurosu, M., Yamaguchi, H. & Pogosov, A. G., 1 февр. 2019, в: JETP Letters. 109, 4, стр. 261-265 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  53. Electromigration effect on the surface morphology during the Ge deposition on Si(1 1 1) at high temperatures

    Shklyaev, A. A. & Latyshev, A. V., 28 янв. 2019, в: Applied Surface Science. 465, стр. 10-14 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  54. 2018

  55. Kelvin force and Raman microscopies of flat SiGe structures with different compositions grown on Si(111) at high temperatures

    Shklyaev, A. A., Bolotov, L., Poborchii, V., Tada, T. & Romanyuk, K. N., 15 авг. 2018, в: Materials Science in Semiconductor Processing. 83, стр. 107-114 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  56. Shapes of the micron-sized SiGe islands grown on Si(100) in Dewetting Conditions

    Budazhapova, A. E. & Shklyaev, A. A., 13 авг. 2018, 2018 19th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM 2018 - Proceedings. IEEE Computer Society, Том 2018-July. стр. 16-18 3 стр. 8434951

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  57. The observation of the Aharonov-Bohm effect in suspended semiconductor ring interferometers

    Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Shevyrin, A. A., Yu Zhdanov, E., Bakarov, A. K., Shklyaev, A. A., Ishutkin, S. V., Stepanenko, M. V. & Shesterikov, E. V., 2 мар. 2018, в: Journal of Physics: Conference Series. 964, 1, 5 стр., 012008.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  58. Lateral-electric-field-induced spin polarization in a suspended GaAs quantum point contact

    Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Zhdanov, E. Y., Shevyrin, A. A., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., 19 февр. 2018, в: Applied Physics Letters. 112, 8, 4 стр., 082102.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  59. Raman and photoluminescence spectroscopy of SiGe layer evolution on Si(100) induced by dewetting

    Shklyaev, A. A., Volodin, V. A., Stoffel, M., Rinnert, H. & Vergnat, M., 7 янв. 2018, в: Journal of Applied Physics. 123, 1, 8 стр., 015304.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  60. Electrically controlled spin polarization in suspended GaAs quantum point contacts

    Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Zhdanov, E. Y., Shevyrin, A. A., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., 1 янв. 2018, в: Journal of Physics: Conference Series. 1124, 6, 061001.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  61. 2017

  62. Photoluminescence from Ordered Ge/Si Quantum Dot Groups Grown on the Strain-Patterned Substrates

    Dvurechenskii, A., Zinovieva, A., Zinovyev, V., Nenashev, A., Smagina, Z., Teys, S., Shklyaev, A., Erenburg, S., Trubina, S., Borodavchenko, O., Zhivulko, V. & Mudryi, A., 1 дек. 2017, в: Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. 14, 12, 6 стр., 1700187.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  63. Photonic metasurface made of array of lens-like SiGe Mie resonators formed on (100) Si substrate via dewetting

    Poborchii, V., Shklyaev, A., Bolotov, L., Uchida, N., Tada, T. & Utegulov, Z. N., 1 дек. 2017, в: Applied Physics Express. 10, 12, 4 стр., 125501.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  64. Submicron- and micron-sized SiGe island formation on Si(100) by dewetting

    Shklyaev, A. A. & Budazhapova, A. E., 30 нояб. 2017, в: Thin Solid Films. 642, стр. 345-351 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  65. Formation and study of p–i–n structures based on two-phase hydrogenated silicon with a germanium layer in the i-type region

    Krivyakin, G. K., Volodin, V. A., Shklyaev, A. A., Mortet, V., More-Chevalier, J., Ashcheulov, P., Remes, Z., Stuchliková, T. H. & Stuchlik, J., 1 окт. 2017, в: Semiconductors. 51, 10, стр. 1370-1376 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  66. Electromechanical coupling in suspended nanomechanical resonators with a two-dimensional electron gas

    Shevyrin, A. A., Pogosov, A. G., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., 15 авг. 2017, в: Journal of Physics: Conference Series. 864, 1, 4 стр., 012043.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  67. Critical conditions for SiGe island formation during Ge deposition on Si(100) at high temperatures

    Shklyaev, A. A. & Budazhapova, A. E., 1 янв. 2017, в: Materials Science in Semiconductor Processing. 57, стр. 18-23 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  68. Formation of Periodic Structures (2D-PhCs) by Scanning Electron Lithography

    Utkin, D., Shklyev, A., Tsarev, A., Latyshev, A. & Nasimov, D., 1 янв. 2017, в: Physics Procedia. 86, стр. 127-130 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  69. Surface Morphologies Obtained by Ge Deposition on Bare and Oxidized Silicon Surfaces at Different Temperatures

    Shklyaev, A. A., Romanyuk, K. N., Kosolobov, S. S. & Latyshev, A. V., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Inc., стр. 325-344 20 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

  70. THE DEPOSITION OF GERMANIUM NANOPARTICLES ON HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON

    Stuchlik, J., Volodin, V. A., Shklyaev, A. A., Stuchlikova, T. H., Ledinsky, M., Cermak, J., Kupcik, J., Fajgar, R., Mortet, V., More-Chevalier, J., Ashcheulov, P., Purkrt, A. & Remes, Z., 2017, 8TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NANOMATERIALS - RESEARCH & APPLICATION (NANOCON 2016). TANGER LTD, стр. 133-137 5 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  71. 2011

  72. Технология получения высокоупорядоченной ступенчатой поверхности Si (111) -7x7

    Романюк, К. Н. & Шкляев, А. А., 25 нояб. 2011, Новосибирский государственный университет, Патент/Св-во № 6, Дата приоритета 22 нояб. 2011

    Результаты исследований: Патенты/Свидетельства о регистрации › свидетельство о регистрации ноу-хау

ID: 3455017