Игорь Васильевич Осинных - Результаты исследований

1 - 16 из 16Размер страницы: 100

10
20
50
100

Сортировать по:: Год публикации

2024
Effect of growth temperature on photoluminescence properties of NH3-MBE grown GaN-on-Si layers
Osinnykh, I. V., Malin, T. V., Milakhin, D. S. & Zhuravlev, K. S., мая 2024, в: St. Petersburg State Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 17, 11, стр. 43-48 6 стр.
Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование
Influence of substrate nitridation conditions and buffer layer structures on the crack-free GaN layers on silicon substrate grown by ammonia-assisted molecular beam epitaxy
Malin, T., Maidebura, Y., Mansurov, V., Gavrilova, T., Gutakovsky, A., Vdovin, V., Ponomarev, S., Loshkarev, I., Osinnykh, I., Volodin, V., Milakhin, D. & Zhuravlev, K., 29 февр. 2024, в: Thin Solid Films. 791, 140246.
Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование
2023
Determination of donor and acceptor concentrations in GaN using yellow photoluminescence band
Igor, O. V., Malin, T. V. & Zhuravlev, K. S., июн. 2023, в: St. Petersburg State Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 16, 3, стр. 33-38 6 стр.
Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование
2022
Stimulated emission in heavily doped Al_0.68Ga_0.32N:Si structures with external cavity
Bokhan, P. A., Fateev, N. V., Malin, T. V., Osinnykh, I. V., Zakrevsky, D. E. & Zhuravlev, K. S., дек. 2022, в: Journal of Luminescence. 252, 119392.
Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование
Transformation of N-Polar Inversion Domains from AlN Buffer Layers during the Growth of AlGaN Layers
Osinnykh, I. V., Malin, T. V., Kozhukhov, A. S., Ber, B. Y., Kazancev, D. Y. & Zhuravlev, K. S., июн. 2022, в: Semiconductors. 56, 6, стр. 352-359 8 стр.
Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование
2021
Features of Optical Gain in Heavily Doped Al_xGa_{1 –}_xN:Si-Structures
Bokhan, P. A., Zhuravlev, K. S., Zakrevsky, D. E., Malin, T. V., Osinnykh, I. V. & Fateev, N. V., сент. 2021, в: Technical Physics Letters. 47, 9, стр. 692-695 4 стр.
Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование
2020
Optical gain and stimulated emission in optically pumped heavily doped Al_0.74Ga_0.26N:Si structures with external cavity
Bokhan, P. A., Fateev, N. V., Malin, T. V., Osinnykh, I. V., Zakrevsky, D. E. & Zhuravlev, K. S., июл. 2020, в: Optical Materials. 105, 5 стр., 109879.
Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование
2019
Optical Gain in Heavily Doped Al_xGa_{1 –} _xN:Si Structures
Bokhan, P. A., Zhuravlev, K. S., Zakrevsky, D. E., Malin, T. V., Osinnykh, I. V. & Fateev, N. V., 1 сент. 2019, в: Technical Physics Letters. 45, 9, стр. 951-954 4 стр.
Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование
Donor-acceptor pair emission via defects with strong electron-phonon coupling in heavily doped Al_xGa_1-xN:Si layers with Al content x > 0.5
Osinnykh, I. V., Malin, T. V., Milakhin, D. S., Plyusnin, V. F. & Zhuravlev, K. S., 1 июн. 2019, в: Japanese Journal of Applied Physics. 58, SC, 7 стр., 27.
Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование
2018
Luminescence properties of heavily doped Al_xGa_1-xN/AlN films grown on sapphire substrate
Bokhan, P. A., Fateev, N. V., Malin, T. V., Osinnykh, I. V., Zakrevsky, D. E. & Zhuravlev, K. S., 1 нояб. 2018, в: Journal of Luminescence. 203, стр. 127-134 8 стр.
Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование
Determination of the energy structure of recombination centers in heavily doped Al_xGa_1-xN: Si epitaxial layers with x > 0.5
Osinnykh, I. V., Malin, T. V. & Zhuravlev, K. S., 10 апр. 2018, в: Journal of Physics: Conference Series. 993, 1, 6 стр., 012006.
Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование
Light emission of heavily doped AlGaN structures under optical pumping
Bokhan, P. A., Fateev, N. V., Osinnykh, I. V., Malin, T. V., Zakrevsky, D. E., Zhuravlev, K. S., Wei, X., Li, J. & Chen, L., 1 апр. 2018, в: Journal of Semiconductors. 39, 4, 6 стр., 043002.
Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование
Amplified luminescence of heavily doped Al_xGa_1-xN structures under optical pumping
Bokhan, P. A., Zhuravlev, K. S., Zakrevskii, D. E., Malin, T. V., Osinnykh, I. V. & Fateev, N. V., 1 янв. 2018, в: Quantum Electronics. 48, 3, стр. 215-221 7 стр.
Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование
2017
Properties of intensive defect-related band in photoluminescence spectra of heavily doped Al_xGa_1-xN: Si layers
Osinnykh, I. V., Malin, T. V., Plyusnin, V. F. & Zhuravlev, K. S., 15 авг. 2017, в: Journal of Physics: Conference Series. 864, 1, 5 стр., 012071.
Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование
Nature of intensive defect-related broadband luminescence of heavily doped Al_xGa_1-xN: Si layers
Osinnykh, I. V., Malin, T. V., Plyusnin, V. F., Zhuravlev, K. S., Ber, B. Y. & Kazantsev, D. Y., 11 апр. 2017, в: Journal of Physics: Conference Series. 816, 1, 6 стр., 012002.
Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование
Radiation enhancement in doped AlGaN-structures upon optical pumping
Bokhan, P. A., Zhuravlev, K. S., Zakrevsky, D. E., Malin, T. V., Osinnykh, I. V. & Fateev, N. V., 1 янв. 2017, в: Technical Physics Letters. 43, 1, стр. 46-49 4 стр.
Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

ID: 3487138

Осинных, Игорь Васильевич