DOI

  • I. V. Osinnykh
  • T. V. Malin
  • A. S. Kozhukhov
  • B. Ya Ber
  • D. Yu Kazancev
  • K. S. Zhuravlev
Переведенное названиеТрансформация N-полярных инверсных доменов из буферных слоев AlN в процессе роста слоев AlGaN
Язык оригиналаанглийский
Страницы (с-по)352-359
Число страниц8
ЖурналSemiconductors
Том56
Номер выпуска6
DOI
СостояниеОпубликовано - июн. 2022

    Предметные области OECD FOS+WOS

  • 1.03 ФИЗИЧЕСКИЕ НАУКИ И АСТРОНОМИЯ
  • 2.05 ТЕХНОЛОГИЯ МАТЕРИАЛОВ

ID: 37069995