Donor-acceptor pair emission via defects with strong electron-phonon coupling in heavily doped AlxGa1-xN:Si layers with Al content x

Язык оригинала	английский
Номер статьи	27
Число страниц	7
Журнал	Japanese Journal of Applied Physics
Том	58
Номер выпуска	SC
DOI	https://doi.org/10.7567/1347-4065/ab0f1f
Состояние	Опубликовано - 1 июн. 2019

ID: 21256198

Donor-acceptor pair emission via defects with strong electron-phonon coupling in heavily doped AlxGa1-xN:Si layers with Al content x > 0.5