1 - 10 из 14Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2023

  2. Determination of donor and acceptor concentrations in GaN using yellow photoluminescence band

    Igor, O. V., Malin, T. V. & Zhuravlev, K. S., июн. 2023, в: St. Petersburg State Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 16, 3, стр. 33-38 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. 2022

  4. Stimulated emission in heavily doped Al0.68Ga0.32N:Si structures with external cavity

    Bokhan, P. A., Fateev, N. V., Malin, T. V., Osinnykh, I. V., Zakrevsky, D. E. & Zhuravlev, K. S., дек. 2022, в: Journal of Luminescence. 252, 119392.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Transformation of N-Polar Inversion Domains from AlN Buffer Layers during the Growth of AlGaN Layers

    Osinnykh, I. V., Malin, T. V., Kozhukhov, A. S., Ber, B. Y., Kazancev, D. Y. & Zhuravlev, K. S., июн. 2022, в: Semiconductors. 56, 6, стр. 352-359 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. 2021

  7. Features of Optical Gain in Heavily Doped Al xGa1 –xN:Si-Structures

    Bokhan, P. A., Zhuravlev, K. S., Zakrevsky, D. E., Malin, T. V., Osinnykh, I. V. & Fateev, N. V., сент. 2021, в: Technical Physics Letters. 47, 9, стр. 692-695 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. 2020

  9. Optical gain and stimulated emission in optically pumped heavily doped Al0.74Ga0.26N:Si structures with external cavity

    Bokhan, P. A., Fateev, N. V., Malin, T. V., Osinnykh, I. V., Zakrevsky, D. E. & Zhuravlev, K. S., июл. 2020, в: Optical Materials. 105, 5 стр., 109879.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. 2019

  11. Optical Gain in Heavily Doped AlxGa1 – xN:Si Structures

    Bokhan, P. A., Zhuravlev, K. S., Zakrevsky, D. E., Malin, T. V., Osinnykh, I. V. & Fateev, N. V., 1 сент. 2019, в: Technical Physics Letters. 45, 9, стр. 951-954 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  12. Donor-acceptor pair emission via defects with strong electron-phonon coupling in heavily doped AlxGa1-xN:Si layers with Al content x > 0.5

    Osinnykh, I. V., Malin, T. V., Milakhin, D. S., Plyusnin, V. F. & Zhuravlev, K. S., 1 июн. 2019, в: Japanese Journal of Applied Physics. 58, SC, 7 стр., 27.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  13. 2018

  14. Luminescence properties of heavily doped AlxGa1-xN/AlN films grown on sapphire substrate

    Bokhan, P. A., Fateev, N. V., Malin, T. V., Osinnykh, I. V., Zakrevsky, D. E. & Zhuravlev, K. S., 1 нояб. 2018, в: Journal of Luminescence. 203, стр. 127-134 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  15. Determination of the energy structure of recombination centers in heavily doped AlxGa1-xN: Si epitaxial layers with x > 0.5

    Osinnykh, I. V., Malin, T. V. & Zhuravlev, K. S., 10 апр. 2018, в: Journal of Physics: Conference Series. 993, 1, 6 стр., 012006.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  16. Light emission of heavily doped AlGaN structures under optical pumping

    Bokhan, P. A., Fateev, N. V., Osinnykh, I. V., Malin, T. V., Zakrevsky, D. E., Zhuravlev, K. S., Wei, X., Li, J. & Chen, L., 1 апр. 2018, в: Journal of Semiconductors. 39, 4, 6 стр., 043002.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1 2 Далее

ID: 3487138