Результаты исследований

1. Effect of growth temperature on photoluminescence properties of NH3-MBE grown GaN-on-Si layers

   Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

2. Determination of donor and acceptor concentrations in GaN using yellow photoluminescence band

   Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

3. Stimulated emission in heavily doped Al_0.68Ga_0.32N:Si structures with external cavity

   Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Просмотреть все (15) »