Результаты исследований

1. Determination of donor and acceptor concentrations in GaN using yellow photoluminescence band

   Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

2. Stimulated emission in heavily doped Al_0.68Ga_0.32N:Si structures with external cavity

   Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

3. Transformation of N-Polar Inversion Domains from AlN Buffer Layers during the Growth of AlGaN Layers

   Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Просмотреть все (14) »