Результаты исследований

1. Зарастание N-полярных инверсионных доменов в слоях AlxGa1-xN с различной мольной долей алюминия

   Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

2. Effect of growth temperature on photoluminescence properties of NH3-MBE grown GaN-on-Si layers

   Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

3. Influence of substrate nitridation conditions and buffer layer structures on the crack-free GaN layers on silicon substrate grown by ammonia-assisted molecular beam epitaxy

   Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Просмотреть все (17) »