DOI

Переведенное названиеВлияние температуры роста на фотолюминесцентные свойства слоев GaN-on-Si, выращенных методом NH3-МЛЭ
Язык оригиналаанглийский
Страницы (с-по)43-48
Число страниц6
ЖурналSt. Petersburg State Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics
Том17
Номер выпуска11
DOI
СостояниеОпубликовано - мая 2024

    Предметные области OECD FOS+WOS

  • 1.03 ФИЗИЧЕСКИЕ НАУКИ И АСТРОНОМИЯ

ID: 60746930