Stimulated emission in heavily doped Al0.68Ga0.32N:Si structures with external cavity › Обзор исследований

DOI

https://doi.org/10.1016/j.jlumin.2022.119392
Конечная издательская версия

P. A. Bokhan
N. V. Fateev
T. V. Malin
I. V. Osinnykh
D. E. Zakrevsky
K. S. Zhuravlev

Язык оригинала	английский
Номер статьи	119392
Журнал	Journal of Luminescence
Том	252
DOI	https://doi.org/10.1016/j.jlumin.2022.119392
Состояние	Опубликовано - дек. 2022

Предметные области OECD FOS+WOS

1.06 БИОЛОГИЧЕСКИЕ НАУКИ
1.03 ФИЗИЧЕСКИЕ НАУКИ И АСТРОНОМИЯ
1.04 ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ

ID: 38163382