11 - 15 из 15Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2018

  2. Light emission of heavily doped AlGaN structures under optical pumping

    Bokhan, P. A., Fateev, N. V., Osinnykh, I. V., Malin, T. V., Zakrevsky, D. E., Zhuravlev, K. S., Wei, X., Li, J. & Chen, L., 1 апр. 2018, в: Journal of Semiconductors. 39, 4, 6 стр., 043002.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Amplified luminescence of heavily doped AlxGa1-xN structures under optical pumping

    Bokhan, P. A., Zhuravlev, K. S., Zakrevskii, D. E., Malin, T. V., Osinnykh, I. V. & Fateev, N. V., 1 янв. 2018, в: Quantum Electronics. 48, 3, стр. 215-221 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. 2017

  5. Properties of intensive defect-related band in photoluminescence spectra of heavily doped AlxGa1-xN: Si layers

    Osinnykh, I. V., Malin, T. V., Plyusnin, V. F. & Zhuravlev, K. S., 15 авг. 2017, в: Journal of Physics: Conference Series. 864, 1, 5 стр., 012071.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Nature of intensive defect-related broadband luminescence of heavily doped AlxGa1-xN: Si layers

    Osinnykh, I. V., Malin, T. V., Plyusnin, V. F., Zhuravlev, K. S., Ber, B. Y. & Kazantsev, D. Y., 11 апр. 2017, в: Journal of Physics: Conference Series. 816, 1, 6 стр., 012002.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Radiation enhancement in doped AlGaN-structures upon optical pumping

    Bokhan, P. A., Zhuravlev, K. S., Zakrevsky, D. E., Malin, T. V., Osinnykh, I. V. & Fateev, N. V., 1 янв. 2017, в: Technical Physics Letters. 43, 1, стр. 46-49 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1 2 Далее

ID: 3487138