21 - 30 из 254Размер страницы: 10
Сортировать по:: Заголовок

  1. Charge transport mechanism in [GeOx](z)[SiO2](1-z) based MIS structures

    Yushkov, I. D., Gismatulin, A. A., Prosvirin, I. P., Kamaev, G. N., Marin, D. V., Vergnat, M. & Volodin, V. A., 9 дек. 2024, в: Applied Physics Letters. 125, 24, 242901.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  2. Charge transport mechanism in La:HfO2

    Gritsenko, V. A. & Gismatulin, A. A., 5 окт. 2020, в: Applied Physics Letters. 117, 14, 4 стр., 142901.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Charge transport mechanism in periodic mesoporous organosilica low- k dielectric

    Gismatulin, A. A., Gritsenko, V. A., Seregin, D. S., Vorotilov, K. A. & Baklanov, M. R., 19 авг. 2019, в: Applied Physics Letters. 115, 8, 5 стр., 082904.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Charge transport mechanism in the forming-free memristor based on silicon nitride

    Gismatulin, A. A., Kamaev, G. N., Kruchinin, V. N., Gritsenko, V. A., Orlov, O. M. & Chin, A., 28 янв. 2021, в: Scientific Reports. 11, 1, 2417.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Charge transport mechanism in the metal-nitride-oxide-silicon forming-free memristor structure

    Gismatulin, A. A., Orlov, O. M., Gritsenko, V. A., Kruchinin, V. N., Mizginov, D. S. & Krasnikov, G. Y., 18 мая 2020, в: Applied Physics Letters. 116, 20, 5 стр., 203502.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Charge transport mechanism in the metal–nitride–oxide–silicon forming-free memristor structure

    Gismatulin, A. A., Orlov, O. M., Gritsenko, V. A. & Krasnikov, G. Y., янв. 2021, в: Chaos, Solitons and Fractals. 142, 110458.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Chemical Composition Dependent Raman Scattering Spectroscopy of MBE Grown Manganese - Based Bismuth Telluride Topological Insulator Thin Films

    Kumar, N., Ishchenko, DV., Milekhin, IA., Kyrova, ED., Fedosenko, EV., Milekhin, AG. & Tereshchenko, OE., 13 февр. 2025, в: Journal of Raman Spectroscopy.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Comparative study of electron-beam crystallization of amorphous hafnium oxides HfO2 and HfO x (x = 1.82)

    Gerasimova, A. K., Aliev, V. S., Krivyakin, G. K. & Voronkovskii, V. A., июл. 2020, в: SN Applied Sciences. 2, 7, 7 стр., 1273.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Comparison of structures of gold nanoparticles synthesized by pulsed laser ablation and magnetron sputtering

    Starinskiy, S. V., Sulyaeva, V. S., Shukhov, Y. G., Cherkov, A. G., Timoshenko, N. I., Bulgakov, A. V. & Safonov, A. I., 1 дек. 2017, в: Journal of Structural Chemistry. 58, 8, стр. 1581-1587 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Creation of plasma column with different density gradients to generate terahertz radiation during beam-plasma interaction

    Arzhannikov, A. V., Ivanov, I. A., Kalinin, P. V., Kasatov, A. A., Makarov, M. A., Mekler, K. I., Rovenskikh, A. F., Samtsov, D. A., Sandalov, E. S. & Sinitsky, S. L., 12 окт. 2020, в: Journal of Physics: Conference Series. 1647, 1, 012011.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

Назад 1 2 3 4 5 6 7 8 ...26 Далее

ID: 10000229