Charge transport mechanism in the metal-nitride-oxide-silicon forming-free memristor structure › Обзор исследований

DOI

https://doi.org/10.1063/5.0001950
Конечная издательская версия

A. A. Gismatulin
Oleg M. Orlov
V. A. Gritsenko
V. N. Kruchinin
D. S. Mizginov
G. Ya Krasnikov

Язык оригинала	английский
Номер статьи	203502
Число страниц	5
Журнал	Applied Physics Letters
Том	116
Номер выпуска	20
DOI	https://doi.org/10.1063/5.0001950
Состояние	Опубликовано - 18 мая 2020

Предметные области OECD FOS+WOS

ID: 25687350