Charge transport mechanism in the metal–nitride–oxide–silicon forming-free memristor structure › Обзор исследований

DOI

https://doi.org/10.1016/j.chaos.2020.110458
Конечная издательская версия

A. A. Gismatulin
Oleg M. Orlov
V. A. Gritsenko
G. Ya Krasnikov

Язык оригинала	английский
Номер статьи	110458
Журнал	Chaos, Solitons and Fractals
Том	142
Дата раннего онлайн-доступа	21 нояб. 2020
DOI	https://doi.org/10.1016/j.chaos.2020.110458
Состояние	Опубликовано - янв. 2021

Предметные области OECD FOS+WOS

1.01.PO МАТЕМАТИКА, МЕЖДИСЦИПЛИНАРНЫЕ ПРИМЕНЕНИЯ
1.03.UI ФИЗИКА, МУЛЬТИДИСЦИПЛИНАРНАЯ
1.03.UB ФИЗИКА, ПРИКЛАДНАЯ

ID: 26134216