Charge transport mechanism in the forming-free memristor based on silicon nitride › Обзор исследований

DOI

https://doi.org/10.1038/s41598-021-82159-7
Конечная издательская версия

Andrei A. Gismatulin
Gennadiy N. Kamaev
Vladimir N. Kruchinin
Vladimir A. Gritsenko
Oleg M. Orlov
Albert Chin

Язык оригинала	английский
Номер статьи	2417
Журнал	Scientific Reports
Том	11
Номер выпуска	1
DOI	https://doi.org/10.1038/s41598-021-82159-7
Состояние	Опубликовано - 28 янв. 2021

Предметные области OECD FOS+WOS

ID: 27709870