1.534 µm Er electroluminescence in the RF magnetron deposited In₂O₃ : Er films on a Si substrate

Feklistov, K. V., Lemzyakov, A. G., Abramkin, D. S., Svit, K. A., Pugachev, A. M., Volodin, V. A., Marin, D. V., Spesivsev, E. V., Azarov, I. A., Safronov, L. N., Kochubey, S. A., Ershov, K. S., Kapishnikov, A. V., Shmakov, A. N., Shklyaev, A. A. & Zhivodkov, Y. A., 30 июн. 2026, в: Modern Electronic Materials. 12, 2, стр. 95-102 8 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Nature of the Pits on the Lattice-Matched InAlAs Layer Surface Grown on the (001) InP Substrate

Gulyaev, D. V., Abramkin, D. S., Dmitriev, D. V., Toropov, A. I., Kolosovsky, E. A., Ponomarev, S. A., Kurus, N. N., Milekhin, I. A. & Zhuravlev, K. S., 18 нояб. 2024, в: Nanomaterials. 14, 22, 1842.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Structural Properties and Energy Spectrum of Novel GaSb/AlP Self-Assembled Quantum Dots

Abramkin, D. S., Petrushkov, M. O., Bogomolov, D. B., Emelyanov, E. A., Yesin, M. Y., Vasev, A. V., Bloshkin, A. A., Koptev, E. S., Putyato, M. A., Atuchin, V. V. & Preobrazhenskii, V. V., 28 февр. 2023, в: Nanomaterials. 13, 5, 910.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Dislocation Filter Based on LT-GaAs Layers for Monolithic GaAs/Si Integration

Petrushkov, M. O., Abramkin, D. S., Emelyanov, E. A., Putyato, M. A., Komkov, O. S., Firsov, D. D., Vasev, A. V., Yesin, M. Y., Bakarov, A. K., Loshkarev, I. D., Gutakovskii, A. K., Atuchin, V. V. & Preobrazhenskii, V. V., 14 дек. 2022, в: Nanomaterials. 12, 24, 4449.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Novel InGaSb/AlP Quantum Dots for Non-Volatile Memories

Abramkin, D. S. & Atuchin, V. V., нояб. 2022, в: Nanomaterials. 12, 21, 3794.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Formation of InAs/GaP Quantum-Well Heterostructures on Silicon Substrates by Molecular-Beam Epitaxy

Abramkin, D. S., Petrushkov, M. O., Emelyanov, E. A., Nenashev, A. V., Yesin, M. Y., Vasev, A. V., Putyato, M. A., Bogomolov, D. B., Gutakovskiy, A. K. & Preobrazhenskiy, V. V., февр. 2021, в: Semiconductors. 55, 2, стр. 194-201 8 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Effect of the Crystallographic Orientation of GaSb Films on Their Structural Properties during MBE Heteroepitaxy on Vicinal Si(001) Substrates

Petrushkov, M. O., Abramkin, D. S., Emelyanov, E. A., Putyato, M. A., Vasev, A. V., Loshkarev, D. I., Yesin, M. Y., Komkov, O. S., Firsov, D. D. & Preobrazhenskii, V. V., дек. 2020, в: Semiconductors. 54, 12, стр. 1548-1554 7 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Nanowired structure, optical properties and conduction band offset of RF magnetron-deposited n-Si/In₂O₃:Er films

Feklistov, K. V., Lemzyakov, A. G., Prosvirin, I. P., Gismatulin, A. A., Shklyaev, A. A., Zhivodkov, Y. A., Krivyakin, G., Komonov, A. I., Kozhukhov, A. S., Spesivsev, E. V., Gulyaev, D. V., Abramkin, D. S., Pugachev, A. M., Esaev, D. G. & Sidorov, G. Y., дек. 2020, в: Materials Research Express. 7, 12, 11 стр., 125903.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

GaAs/GaP Quantum-Well Heterostructures Grown on Si Substrates

Abramkin, D. S., Petrushkov, M. O., Putyato, M. A., Semyagin, B. R., Emelyanov, E. A., Preobrazhenskii, V. V., Gutakovskii, A. K. & Shamirzaev, T. S., 1 сент. 2019, в: Semiconductors. 53, 9, стр. 1143-1147 5 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Type-I Indirect-Gap Semiconductor Heterostructures on (110) Substrates

Abramkin, D. S. & Shamirzaev, T. S., 1 мая 2019, в: Semiconductors. 53, 5, стр. 703-710 8 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование