Formation of InAs/GaP Quantum-Well Heterostructures on Silicon Substrates by Molecular-Beam Epitaxy › Обзор исследований

DOI

https://doi.org/10.1134/S1063782621020020
Конечная издательская версия

D. S. Abramkin
M. O. Petrushkov
E. A. Emelyanov
A. V. Nenashev
M. Yu Yesin
A. V. Vasev
M. A. Putyato
D. B. Bogomolov
A. K. Gutakovskiy
V. V. Preobrazhenskiy

Язык оригинала	английский
Страницы (с-по)	194-201
Число страниц	8
Журнал	Semiconductors
Том	55
Номер выпуска	2
DOI	https://doi.org/10.1134/S1063782621020020
Состояние	Опубликовано - февр. 2021

Предметные области OECD FOS+WOS

ID: 28003881