Dislocation Filter Based on LT-GaAs Layers for Monolithic GaAs/Si Integration › Обзор исследований

DOI

https://doi.org/10.3390/nano12244449
Конечная издательская версия

Mikhail O Petrushkov
Demid S Abramkin
Eugeny A Emelyanov
Mikhail A Putyato
Oleg S Komkov
Dmitrii D Firsov
Andrey V Vasev
Mikhail Yu Yesin
Askhat K Bakarov
Ivan D Loshkarev
Anton K Gutakovskii
Victor V Atuchin
Valery V Preobrazhenskii

Язык оригинала	английский
Номер статьи	4449
Журнал	Nanomaterials
Том	12
Номер выпуска	24
DOI	https://doi.org/10.3390/nano12244449
Состояние	Опубликовано - 14 дек. 2022

Предметные области OECD FOS+WOS

2.1.NS НАНОНАУКА И НАНОТЕХНОЛОГИИ
2.05.PM МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ, МУЛЬТИДИСЦИПЛИНАРНОЕ
1.03.UB ФИЗИКА, ПРИКЛАДНАЯ
1.04.DY ХИМИЯ, МУЛЬТИДИСЦИПЛИНАРНАЯ

ID: 42511486