Effect of the Crystallographic Orientation of GaSb Films on Their Structural Properties during MBE Heteroepitaxy on Vicinal Si(001) Substrates › Обзор исследований

Исследовательский портал НГУ

Effect of the Crystallographic Orientation of GaSb Films on Their Structural Properties during MBE Heteroepitaxy on Vicinal Si(001) Substrates

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Кафедра автоматизации физико-технических исследований ФФ

DOI

https://doi.org/10.1134/S1063782620120295
Конечная издательская версия

M. O. Petrushkov
D. S. Abramkin
E. A. Emelyanov
M. A. Putyato
A. V. Vasev
D. I. Loshkarev
M. Yu Yesin
O. S. Komkov
D. D. Firsov
V. V. Preobrazhenskii

Язык оригинала	английский
Страницы (с-по)	1548-1554
Число страниц	7
Журнал	Semiconductors
Том	54
Номер выпуска	12
DOI	https://doi.org/10.1134/S1063782620120295
Состояние	Опубликовано - дек. 2020

Предметные области OECD FOS+WOS

1.03 ФИЗИЧЕСКИЕ НАУКИ И АСТРОНОМИЯ

ID: 26205370