1 - 15 из 15Размер страницы: 50
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2025

  2. Structural Transformation of Bi2Se3(001) Surface during Sn Monolayer Annealing

    Zakhozhev, K., Ponomarev, S., Golyashov, V., Nasimov, D., Kokh, K. & Rogilo, D., 8 авг. 2025, International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM. IEEE Computer Society, стр. 80-83 4 стр. (International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  3. 2024

  4. Capture zone scaling in 2D Ge island nucleation on Si(111)-(7 × 7) at elevated temperatures

    Makeeva, A. A., Petrov, A. S., Rogilo, D. I., Sheglov, D. V. & Latyshev, A. V., 1 дек. 2024, в: Journal of Crystal Growth. 647, 127873.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Low-defect-density SnSe2 films nucleated via thin layer crystallization

    Ponomarev, S. A., Zakhozhev, K. E., Rogilo, D. I., Gutakovsky, A. K., Kurus, N. N., Kokh, K. A., Sheglov, D. V., Milekhin, A. G. & Latyshev, A. V., 1 апр. 2024, в: Journal of Crystal Growth. 631, 5 стр., 127615.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Sn-mediated transformations on Si(111) surface: reconstructions, electromigration, homoepitaxy

    Petrov, A. S., Rogilo, D. I., Vergules, A. I., Mansurov, V. G., Sheglov, D. V. & Latyshev, A. V., мар. 2024, в: Surface Science. 741, 13 стр., 122418.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. High-temperature indium adsorption on Bi2Se3(0001) surface studied by in situ reflection electron microscopy

    Ponomarev, S. A., Rogilo, D. I., Nasimov, D. A., Kokh, K. A., Sheglov, D. V. & Latyshev, A. V., 15 февр. 2024, в: Journal of Crystal Growth. 628, 127545.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. In situ reflection electron microscopy for the surface processes analysis during sublimation and epitaxial growth of layered metal chalcogenides

    Ponomarev, S. A., Rogilo, D. I., Zakhozhev, K. E., Nasimov, D. A., Kurus, N. N., Gutakovskii, A. K., Kokh, K. A., Milekhin, A. G., Sheglov, D. V. & Latyshev, A. V., 2024, в: Modern Electronic Materials. 10, 4, стр. 251-261 11 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. 2023

  10. Structural transitions on Si(1 1 1) surface during Sn adsorption, electromigration, and desorption studied by in situ UHV REM

    Petrov, A. S., Rogilo, D. I., Zhachuk, R. A., Vergules, A. I., Sheglov, D. V. & Latyshev, A. V., 30 янв. 2023, в: Applied Surface Science. 609, 155367.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. 2022

  12. Van der Waals Heteroepitaxial Growth of Layered SnSe2 on Surfaces Si(111) and Bi2Se3 (0001)

    Ponomarev, S. A., Zakhozhev, K. E., Rogilo, D. I., Kurus’, N. N., Sheglov, D. V., Milekhin, A. G. & Latyshev, A. V., 2022, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 58, 6, стр. 564-570 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  13. 2021

  14. In situ reflection electron microscopy for investigation of surface processes on Bi2Se3(0001)

    Ponomarev, S. A., Rogilo, D. I., Kurus, N. N., Basalaeva, L. S., Kokh, K. A., Milekhin, A. G., Sheglov, D. V. & Latyshev, A. V., 13 сент. 2021, в: Journal of Physics: Conference Series. 1984, 1, 012016.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  15. Thermal Hysteresis in the Resistance of In2Se3Film on Si(111) Surface

    Ponomarev, S., Rogilo, D., Mironov, A., Sheglov, D. & Latyshev, A., 30 июн. 2021, 2021 IEEE 22nd International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials, EDM 2021 - Proceedings. IEEE Computer Society, стр. 50-53 4 стр. 9507592. (International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM; том 2021-June).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  16. Structural and morphological instabilities of the Si(1 1 1)-7 × 7 surface during silicon growth and etching by oxygen and selenium

    Rogilo, D., Sitnikov, S., Ponomarev, S., Sheglov, D., Fedina, L. & Latyshev, A., 28 февр. 2021, в: Applied Surface Science. 540, 9 стр., 148269.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  17. 2020

  18. SiCxNyOz Coatings Enhance Endothelialization and Bactericidal activity and Reduce Blood Cell Activation

    Bhaskar, N., Sulyaeva, V., Gatapova, E., Kaichev, V., Rogilo, D., Khomyakov, M., Kosinova, M. & Basu, B., 12 окт. 2020, в: ACS Biomaterials Science and Engineering. 6, 10, стр. 5571-5587 17 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  19. Etching Kinetics of Si(111) Surface by Selenium Molecular Beam

    Ponomarev, S. A., Rogilo, D. I., Petrov, A. S., Sheglov, D. V. & Latyshev, A. V., сент. 2020, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 56, 5, стр. 449-455 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  20. 2018

  21. On the role of mobile nanoclusters in 2D island nucleation on Si(111)-(7 × 7) surface

    Rogilo, D. I., Fedina, L. I., Kosolobov, S. S. & Latyshev, A. V., 1 янв. 2018, в: Surface Science. 667, стр. 1-7 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  22. 2017

  23. 2D Si island nucleation on the Si(111) surface at initial and late growth stages: On the role of step permeability in pyramidlike growth

    Rogilo, D. I., Fedina, L. I., Kosolobov, S. S., Ranguelov, B. S. & Latyshev, A. V., 1 янв. 2017, в: Journal of Crystal Growth. 457, стр. 188-195 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

ID: 3486631