Structural and morphological instabilities of the Si(1 1 1)-7 × 7 surface during silicon growth and etching by oxygen and selenium › Обзор исследований

Исследовательский портал НГУ

Structural and morphological instabilities of the Si(1 1 1)-7 × 7 surface during silicon growth and etching by oxygen and selenium

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Физический факультет

DOI

https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2020.148269
Конечная издательская версия

Dmitry Rogilo
Sergey Sitnikov
Sergey Ponomarev
Dmitry Sheglov
Liudmila Fedina
Alexander Latyshev

Язык оригинала	английский
Номер статьи	148269
Число страниц	9
Журнал	Applied Surface Science
Том	540
DOI	https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2020.148269
Состояние	Опубликовано - 28 февр. 2021

Предметные области OECD FOS+WOS

ID: 26029012