151 - 160 из 168Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2018

  2. Forbidden Resonant Raman Scattering in GaAs/AlAs Superlattices: Experiment and Calculations

    Volodin, V. A., Sachkov, V. A. & Sinyukov, M. P., 1 июн. 2018, в: Semiconductors. 52, 6, стр. 717-722 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Optical Properties of Nonstoichiometric Tantalum Oxide TaOx (x < 5/2) According to Spectral-Ellipsometry and Raman-Scattering Data

    Kruchinin, V. N., Volodin, V. A., Perevalov, T. V., Gerasimova, A. K., Aliev, V. S. & Gritsenko, V. A., 1 июн. 2018, в: Optics and Spectroscopy (English translation of Optika i Spektroskopiya). 124, 6, стр. 808-813 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Local Oscillations of Silicon–Silicon Bonds in Silicon Nitride

    Volodin, V. A., Gritsenko, V. A. & Chin, A., 1 мая 2018, в: Technical Physics Letters. 44, 5, стр. 424-427 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. New Method of Porous Ge Layer Fabrication: Structure and Optical Properties

    Gorokhov, E. B., Astankova, K. N., Azarov, I. A., Volodin, V. A. & Latyshev, A. V., 1 мая 2018, в: Semiconductors. 52, 5, стр. 628-631 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Ion-Beam Synthesis of the Crystalline Ge Phase in SiOxNy Films upon Annealing under High Pressure

    Tyschenko, I. E., Krivyakin, G. K. & Volodin, V. A., 1 февр. 2018, в: Semiconductors. 52, 2, стр. 268-272 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Raman and photoluminescence spectroscopy of SiGe layer evolution on Si(100) induced by dewetting

    Shklyaev, A. A., Volodin, V. A., Stoffel, M., Rinnert, H. & Vergnat, M., 7 янв. 2018, в: Journal of Applied Physics. 123, 1, 8 стр., 015304.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. 2017

  9. Formation and study of p–i–n structures based on two-phase hydrogenated silicon with a germanium layer in the i-type region

    Krivyakin, G. K., Volodin, V. A., Shklyaev, A. A., Mortet, V., More-Chevalier, J., Ashcheulov, P., Remes, Z., Stuchliková, T. H. & Stuchlik, J., 1 окт. 2017, в: Semiconductors. 51, 10, стр. 1370-1376 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Specific features of the ion-beam synthesis of Ge nanocrystals in SiO2 thin films

    Tyschenko, I. E., Cherkov, A. G., Volodin, V. A. & Voelskow, M., 1 сент. 2017, в: Semiconductors. 51, 9, стр. 1240-1246 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. Light-emitting Si nanostructures formed by swift heavy ions in a-Si:H/SiO2 multilayer heterostructures

    Cherkova, S. G., Volodin, V. A., Cherkov, A. G., Antonenko, A. K., Kamaev, G. N. & Skuratov, V. A., 1 авг. 2017, в: Materials Research Express. 4, 8, 7 стр., 085001.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  12. Ge nanocrystals formed by furnace annealing of Ge(x)[SiO2](1-x) films: Structure and optical properties

    Volodin, V. A., Cherkov, A. G., Antonenko, A. K., Stoffel, M., Rinnert, H. & Vergnat, M., 1 июл. 2017, в: Materials Research Express. 4, 7, 9 стр., 075010.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1...12 13 14 15 16 17 Далее

ID: 3443008