51 - 60 из 168Размер страницы: 10
Сортировать по:: Заголовок

  1. Growth of Silicene by Molecular Beam Epitaxy on CaF2/Si(111) Substrates Modified by Electron Irradiation

    Zinovieva, A. F., Zinovyev, V. A., Katsyuba, A. V., Volodin, V. A., Muratov, V. I. & Dvurechenskii, A. V., мая 2024, в: JETP Letters. 119, 9, стр. 703-707 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  2. HIGH-TEMPERATURE ANNEALING OF SILICON SUBOXIDE THIN FILMS OBTAINED BY GAS-JET ELECTRON BEAM PLASMA CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

    Baranov, E. A., Zamchiy, A. O., Lunev, N. A., Merkulova, I. E., Volodin, V. A., Sharafutdinov, M. R. & Shapovalova, A. A., 6 февр. 2023, в: Journal of Applied Mechanics and Technical Physics. 63, 5, стр. 757-764 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. High-Temperature PIN Diodes Based on Amorphous Hydrogenated Silicon-Carbon Alloys and Boron-Doped Diamond Thin Films

    Stuchlikova, T. H., Stuchlik, J., Remes, Z., Taylor, A., Mortet, V., Ashcheulov, P., Gregora, I., Krivyakin, G. & Volodin, V., 1 июн. 2020, в: Physica Status Solidi (B) Basic Research. 257, 6, 6 стр., 1900247.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Indium-Induced Crystallization of Thin Films of Amorphous Silicon Suboxide

    Zamchiy, A. O., Baranov, E. A., Merkulova, I. E., Lunev, N. A., Volodin, V. A. & Maksimovskii, E. A., 1 июн. 2020, в: Technical Physics Letters. 46, 6, стр. 583-586 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Influence of Current Density on the Structure of Amorphous Silicon Suboxide Thin Films Under Electron-Beam Annealing

    Baranov, E. A., Nepomnyashchikh, V. A., Konstantinov, V. O., Shchukin, V. G., Merkulova, I. E., Zamchiy, A. O., Lunev, N. A., Volodin, V. A. & Shapovalova, A. A., окт. 2023, в: Journal of Applied Mechanics and Technical Physics. 64, 5, стр. 778-783 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Influence of substrate nitridation conditions and buffer layer structures on the crack-free GaN layers on silicon substrate grown by ammonia-assisted molecular beam epitaxy

    Malin, T., Maidebura, Y., Mansurov, V., Gavrilova, T., Gutakovsky, A., Vdovin, V., Ponomarev, S., Loshkarev, I., Osinnykh, I., Volodin, V., Milakhin, D. & Zhuravlev, K., 29 февр. 2024, в: Thin Solid Films. 791, 140246.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Infrared photoluminescence from GeO[SiO2] and GeO[SiO] solid alloy layers irradiated with swift heavy Xe ions

    Cherkova, S. G., Volodin, V. A., Skuratov, V. A., Stoffel, M., Rinnert, H. & Vergnat, M., июл. 2020, в: Journal of Luminescence. 223, 4 стр., 117238.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Interaction of low-fluence femtosecond laser pulses with a composite layer containing Ge nanoclusters: A novel type of nanofoam formation

    Astankova, K. N., Kozhukhov, A. S., Krivyakin, G. K., Zhivodkov, Y. A., Sheglov, D. V. & Volodin, V. A., 1 мая 2022, в: Journal of Laser Applications. 34, 2, 022002.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Ion-Beam Synthesis of the Crystalline Ge Phase in SiOxNy Films upon Annealing under High Pressure

    Tyschenko, I. E., Krivyakin, G. K. & Volodin, V. A., 1 февр. 2018, в: Semiconductors. 52, 2, стр. 268-272 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. IR Photoluminescence of Silicon Irradiated with High-Energy Xe Ions after Annealing

    Cherkova, S. G., Volodin, V. A., Skuratov, V. A., Stoffel, M., Rinnert, H. & Vergnat, M., 2022, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 58, 6, стр. 633-642 10 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 12 3 4 5 6 7 8 9 ...17 Далее

ID: 3443008