1 - 10 из 17Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2025

  2. Зарастание N-полярных инверсионных доменов в слоях AlxGa1-xN с различной мольной долей алюминия

    Осинных, И. В., МАЛИН, Т. В., ГИЛИНСКИЙ, А. М., Протасов, Д. Ю. & Вдовин, В. И., 2025, в: Автометрия. 61, 6, стр. 59-66

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. 2024

  4. Effect of growth temperature on photoluminescence properties of NH3-MBE grown GaN-on-Si layers

    Osinnykh, I. V., Malin, T. V., Milakhin, D. S. & Zhuravlev, K. S., мая 2024, в: St. Petersburg State Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 17, 11, стр. 43-48 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  5. Influence of substrate nitridation conditions and buffer layer structures on the crack-free GaN layers on silicon substrate grown by ammonia-assisted molecular beam epitaxy

    Malin, T., Maidebura, Y., Mansurov, V., Gavrilova, T., Gutakovsky, A., Vdovin, V., Ponomarev, S., Loshkarev, I., Osinnykh, I., Volodin, V., Milakhin, D. & Zhuravlev, K., 29 февр. 2024, в: Thin Solid Films. 791, 140246.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. 2023

  7. Determination of donor and acceptor concentrations in GaN using yellow photoluminescence band

    Igor, O. V., Malin, T. V. & Zhuravlev, K. S., июн. 2023, в: St. Petersburg State Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 16, 3, стр. 33-38 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. 2022

  9. Stimulated emission in heavily doped Al0.68Ga0.32N:Si structures with external cavity

    Bokhan, P. A., Fateev, N. V., Malin, T. V., Osinnykh, I. V., Zakrevsky, D. E. & Zhuravlev, K. S., дек. 2022, в: Journal of Luminescence. 252, 119392.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Transformation of N-Polar Inversion Domains from AlN Buffer Layers during the Growth of AlGaN Layers

    Osinnykh, I. V., Malin, T. V., Kozhukhov, A. S., Ber, B. Y., Kazancev, D. Y. & Zhuravlev, K. S., июн. 2022, в: Semiconductors. 56, 6, стр. 352-359 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. 2021

  12. Features of Optical Gain in Heavily Doped Al xGa1 –xN:Si-Structures

    Bokhan, P. A., Zhuravlev, K. S., Zakrevsky, D. E., Malin, T. V., Osinnykh, I. V. & Fateev, N. V., сент. 2021, в: Technical Physics Letters. 47, 9, стр. 692-695 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  13. 2020

  14. Optical gain and stimulated emission in optically pumped heavily doped Al0.74Ga0.26N:Si structures with external cavity

    Bokhan, P. A., Fateev, N. V., Malin, T. V., Osinnykh, I. V., Zakrevsky, D. E. & Zhuravlev, K. S., июл. 2020, в: Optical Materials. 105, 5 стр., 109879.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  15. 2019

  16. Optical Gain in Heavily Doped AlxGa1 – xN:Si Structures

    Bokhan, P. A., Zhuravlev, K. S., Zakrevsky, D. E., Malin, T. V., Osinnykh, I. V. & Fateev, N. V., 1 сент. 2019, в: Technical Physics Letters. 45, 9, стр. 951-954 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  17. Donor-acceptor pair emission via defects with strong electron-phonon coupling in heavily doped AlxGa1-xN:Si layers with Al content x > 0.5

    Osinnykh, I. V., Malin, T. V., Milakhin, D. S., Plyusnin, V. F. & Zhuravlev, K. S., 1 июн. 2019, в: Japanese Journal of Applied Physics. 58, SC, 7 стр., 27.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1 2 Далее

ID: 3487138