Resonance Raman Scattering of Topological Insulators Bi2Te3 and Bi2 − xSbxTe3 − ySey Thin Films

Kumar, N., Surovtsev, N. V., Ishchenko, D. V., Yunin, P. A., Milekhin, I. A., Tereshchenko, O. E. & Milekhin, A. G., 30 нояб. 2024, в: Journal of Raman Spectroscopy.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Polarization-resolved resonant Raman excitation of surface and bulk electronic bands and phonons in MBE-grown topological insulator thin films

Kumar, N., Ishchenko, D. V., Milekhin, I. A., Yunin, P. A., Kyrova, E. D., Korsakov, A. V. & Tereshchenko, O. E., 5 нояб. 2024, в: Physical Chemistry Chemical Physics. 26, 46, стр. 29036-29047 12 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Nonlinear Hall Coefficient in Films of a Three-Dimensional Topological Insulator

Stepina, N. P., Bazhenov, A. O., Shumilin, A. V., Zhdanov, E. Y., Ishchenko, D. V., Kirienko, V. V., Aksenov, M. S. & Tereshchenko, O. E., 17 сент. 2024, в: JETP Letters. 120, 3, стр. 199-204 6 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Na2KSb/CsxSb interface engineering for high-efficiency photocathodes

Rozhkov, S. A., Bakin, V. V., Rusetsky, V. S., Kustov, D. A., Golyashov, V. A., Demin, A. Y., Scheibler, H. E., Alperovich, V. L. & Tereshchenko, O. E., 2 авг. 2024, в: Physical Review Applied. 22, 2, 024008.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Interfacing two-dimensional and magnetic topological insulators: Bi bilayer on MnBi2Te4-family materials

Klimovskikh, I. I., Eremeev, S. V., Estyunin, D. A., Filnov, S. O., Shimada, K., Golyashov, V. A., Solovova, N. Y., Tereshchenko, O. E., Kokh, K. A., Frolov, A. S., Sergeev, A. I., Stolyarov, V. S., Trontl, V. M., Petaccia, L., Di Santo, G., Tallarida, M., Dai, J., Blanco-Canosa, S., Valla, T., Shikin, A. M., еще 1Chulkov, E. V., авг. 2024, в: Materials Today Advances. 23, 9 стр., 100511.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Raman scattering spectroscopy of MBE grown thin film topological insulator Bi2−xSbxTe3−ySey

Kumar, N., Surovtsev, N. V., Yunin, P. A., Ishchenko, D. V., Milekhin, I. A., Lebedev, S. P., Lebedev, A. A. & Tereshchenko, O. E., 12 апр. 2024, в: Physical Chemistry Chemical Physics. 26, 17, стр. 13497-13505 9 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Formation of well-ordered surfaces of Bi2-xSbxTe3-ySey topological insulators using wet chemical treatment

Tarasov, A. S., Kumar, N., Golyashov, V. A., Akhundov, I. O., Ishchenko, D. V., Kokh, K. A., Bazhenov, A. O., Stepina, N. P. & Tereshchenko, O. E., 15 мар. 2024, в: Applied Surface Science. 649, 9 стр., 159122.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Electron and hole bipolar injection in magnesium oxide films

Perevalov, T. V., Islamov, D. R., Zalyalov, T. M., Gismatulin, A. A., Golyashov, V. A., Tereshchenko, O. E., Gorshkov, D. V. & Gritsenko, V. A., 6 февр. 2024, в: Applied Physics Letters. 124, 4, 042903.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Emergence of quasi-1D spin-polarized states in ultrathin Bi films on InAs(111)A for spintronics applications

Mihalyuk, A. N., Bondarenko, L. V., Tupchaya, A. Y., Gruznev, D. V., Solovova, N. Y., Golyashov, V. A., Tereshchenko, O. E., Okuda, T., Kimura, A., Eremeev, S. V., Zotov, A. V. & Saranin, A. A., 18 янв. 2024, в: Nanoscale. 16, 3, стр. 1272-1281 10 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Transport properties of (Bi, Sb)2Te3 topological insulator crystals with lateral p-n junction

Golyashov, V. A., Kokh, K. A. & Tereshchenko, O. E., дек. 2023, в: Physical Review Materials. 7, 12, 9 стр., 124204.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование