1. 2017
  2. AlN/GaN heterostructures for normally-off transistors

    Zhuravlev, K. S., Malin, T. V., Mansurov, V. G., Tereshenko, O. E., Abgaryan, K. K., Reviznikov, D. L., Zemlyakov, V. E., Egorkin, V. I., Parnes, Y. M., Tikhomirov, V. G. & Prosvirin, I. P., 1 мар. 2017, в: Semiconductors. 51, 3, стр. 379-386 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. Ultrafast energy- and momentum-resolved surface Dirac photocurrents in the topological insulator Sb2Te3

    Kuroda, K., Reimann, J., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Kimura, A., Güdde, J. & Höfer, U., 2 февр. 2017, в: Physical Review B. 95, 8, 5 стр., 081103.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

Назад 1...7 8 9 10 11 Далее

ID: 3439409