111 - 120 из 242Размер страницы: 10
Сортировать по:: Тип
  1. статья › научная › Прошло рецензирование

  2. Charge transport mechanism in the metal-nitride-oxide-silicon forming-free memristor structure

    Gismatulin, A. A., Orlov, O. M., Gritsenko, V. A., Kruchinin, V. N., Mizginov, D. S. & Krasnikov, G. Y., 18 мая 2020, в: Applied Physics Letters. 116, 20, 5 стр., 203502.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Charge transport mechanism in the metal–nitride–oxide–silicon forming-free memristor structure

    Gismatulin, A. A., Orlov, O. M., Gritsenko, V. A. & Krasnikov, G. Y., янв. 2021, в: Chaos, Solitons and Fractals. 142, 110458.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Comparative study of electron-beam crystallization of amorphous hafnium oxides HfO2 and HfO x (x = 1.82)

    Gerasimova, A. K., Aliev, V. S., Krivyakin, G. K. & Voronkovskii, V. A., июл. 2020, в: SN Applied Sciences. 2, 7, 7 стр., 1273.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Comparison of structures of gold nanoparticles synthesized by pulsed laser ablation and magnetron sputtering

    Starinskiy, S. V., Sulyaeva, V. S., Shukhov, Y. G., Cherkov, A. G., Timoshenko, N. I., Bulgakov, A. V. & Safonov, A. I., 1 дек. 2017, в: Journal of Structural Chemistry. 58, 8, стр. 1581-1587 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Controlling excitons in the quantum tunneling regime in a hybrid plasmonic/2D semiconductor interface

    Ferrera, M., Rahaman, M., Sanders, S., Pan, Y., Milekhin, I., Gemming, S., Alabastri, A., Bisio, F., Canepa, M. & Zahn, D. R. T., 2022, в: Applied Physics Reviews. 9, 031401

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Crystallization of Amorphous Germanium Films and Multilayer a-Ge/a-Si Structures upon Exposure to Nanosecond Laser Radiation

    Volodin, V. A., Krivyakin, G. K., Ivlev, G. D., Prokopyev, S. L., Gusakova, S. V. & Popov, A. A., 1 мар. 2019, в: Semiconductors. 53, 3, стр. 400-405 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Crystallization of submicron amorphous hydrogenated silicon films with different hydrogen concentration by nanosecond ruby laser irradiation

    Krivyakin, G. K., Kamaev, G. N., Ivlev, G. D., Prakopyeu, S. L. & Volodin, V. A., 1 февр. 2019, в: Journal of Laser Applications. 31, 1, 5 стр., 012006.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Crystal structure of thin CaSi2 films grown by radiation-induced epitaxy

    Kacyuba, A. V., Dvurechenskii, A. V., Kamaev, G. N., Volodin, V. A. & Krupin, A. Y., 15 мая 2021, в: Journal of Crystal Growth. 562, 126080.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Cu-promoted Ni-LaCeOx/SBA-15 catalysts for ethanol steam reforming

    Dorofeeva, N. V., Putanenko, P. K., Salaev, M. A., Simonov, M. N., Larichev, Y., Stonkus, O. A. & Vodyankina, O. V., 15 февр. 2024, в: International Journal of Hydrogen Energy. 12 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. Dependence of light reflection of germanium Mie nanoresonators on their aspect ratio

    Utkin, D. E., Anikin, K. V., Veber, S. L. & Shklyaev, A. A., нояб. 2020, в: Optical Materials. 109, 5 стр., 110466.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1...8 9 10 11 12 13 14 15 ...25 Далее

ID: 10000229