21 - 30 из 188Размер страницы: 10
Сортировать по:: Тип
  1. статья › научная › Прошло рецензирование

  2. Charge Transport Mechanism and Trap Origin in Methyl-Terminated Organosilicate Glass Low-κ Dielectrics

    Perevalov, T. V., Gismatulin, A. A., Dolbak, A. E., Gritsenko, V. A., Trofimova, E. S., Pustovarov, V. A., Seregin, D. S., Vorotilov, K. A. & Baklanov, M. R., февр. 2021, в: Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science. 218, 4, 7 стр., 2000654.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Charge Transport Mechanism in a Formless Memristor Based on Silicon Nitride

    Orlov, O. M., Gismatulin, A. A., Gritsenko, V. A. & Mizginov, D. S., 1 сент. 2020, в: Russian Microelectronics. 49, 5, стр. 372-377 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Charge Transport Mechanism in Atomic Layer Deposited Oxygen-Deficient TaOx Films

    Gismatulin, A., Gritsenko, V., Perevalov, T., Kuzmichev, D., Chernikova, A. & Markeev, A., мар. 2021, в: Physica Status Solidi (B) Basic Research. 258, 3, 6 стр., 2000432.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Charge transport mechanism in La:HfO2

    Gritsenko, V. A. & Gismatulin, A. A., 5 окт. 2020, в: Applied Physics Letters. 117, 14, 4 стр., 142901.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Charge transport mechanism in periodic mesoporous organosilica low- k dielectric

    Gismatulin, A. A., Gritsenko, V. A., Seregin, D. S., Vorotilov, K. A. & Baklanov, M. R., 19 авг. 2019, в: Applied Physics Letters. 115, 8, 5 стр., 082904.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Charge transport mechanism in SiNx-based memristor

    Gismatulin, A. A., Gritsenko, V. A., Yen, T. J. & Chin, A., 16 дек. 2019, в: Applied Physics Letters. 115, 25, 5 стр., 253502.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Charge transport mechanism in the forming-free memristor based on silicon nitride

    Gismatulin, A. A., Kamaev, G. N., Kruchinin, V. N., Gritsenko, V. A., Orlov, O. M. & Chin, A., 28 янв. 2021, в: Scientific Reports. 11, 1, 2417.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Charge transport mechanism in the metal-nitride-oxide-silicon forming-free memristor structure

    Gismatulin, A. A., Orlov, O. M., Gritsenko, V. A., Kruchinin, V. N., Mizginov, D. S. & Krasnikov, G. Y., 18 мая 2020, в: Applied Physics Letters. 116, 20, 5 стр., 203502.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Charge transport mechanism in the metal–nitride–oxide–silicon forming-free memristor structure

    Gismatulin, A. A., Orlov, O. M., Gritsenko, V. A. & Krasnikov, G. Y., янв. 2021, в: Chaos, Solitons and Fractals. 142, 110458.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. Charge transport mechanism of high-resistive state in RRAM based on SiOx

    Gismatulin, A. A., Kruchinin, V. N., Gritsenko, V. A., Prosvirin, I. P., Yen, T. J. & Chin, A., 21 янв. 2019, в: Applied Physics Letters. 114, 3, 5 стр., 033503.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1 2 3 4 5 6 7 8 ...19 Далее

ID: 19061863