Charge transport mechanism of high-resistive state in RRAM based on SiOx › Обзор исследований

DOI

https://doi.org/10.1063/1.5074116
Конечная издательская версия

A. A. Gismatulin
V. N. Kruchinin
V. A. Gritsenko
I. P. Prosvirin
T. J. Yen
A. Chin

Язык оригинала	английский
Номер статьи	033503
Число страниц	5
Журнал	Applied Physics Letters
Том	114
Номер выпуска	3
DOI	https://doi.org/10.1063/1.5074116
Состояние	Опубликовано - 21 янв. 2019

Предметные области OECD FOS+WOS

ID: 18485072