1. 2024
  2. Tackling residual tensile stress in AlN-on-Si nucleation layers via the controlled Si(111) surface nitridation

    Milakhin, D., Malin, T., Mansurov, V., Maidebura, Y., Bashkatov, D., Milekhin, I., Goryainov, S., Volodin, V., Loshkarev, I., Vdovin, V., Gutakovskii, A., Ponomarev, S. & Zhuravlev, K., Aug 2024, In: Surfaces and Interfaces. 51, 14 p., 104817.

    Research output: Contribution to journalArticlepeer-review

  3. Kinetic study of GeOx amorphous film disproportionation into a-Ge nanoclusters / GeO2 system using Raman and infrared spectroscopy

    帆张, Володин, В. А., Астанкова, К. Н., Shvets, P. V., Goikhman, A. Y. & Vergnat, M., 1 May 2024, In: Journal of Non-Crystalline Solids. 631, 8 p., 122929.

    Research output: Contribution to journalArticlepeer-review

  4. Growth of Silicene by Molecular Beam Epitaxy on CaF2/Si(111) Substrates Modified by Electron Irradiation

    Zinovieva, A. F., Zinovyev, V. A., Katsyuba, A. V., Volodin, V. A., Muratov, V. I. & Dvurechenskii, A. V., May 2024, In: JETP Letters. 119, 9, p. 703-707 5 p.

    Research output: Contribution to journalArticlepeer-review

  5. Photocurrent in MIS structures based on germanosilicate films

    Хамуд, Г., Камаев, Г. Н., Vergnat, M. & Володин, В. А., May 2024, In: St. Petersburg State Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 17, 1.1, p. 149-154 6 p.

    Research output: Contribution to journalConference articlepeer-review

  6. Visible room-temperature emission and excitation photoluminescence in In+- and As+-co-implanted SiO2 films

    Tyschenko, I., Batalov, R., Shmelev, A., Si, Z., Volodin, V. & Popov, V., May 2024, In: Journal of Luminescence. 269, 6 p., 120534.

    Research output: Contribution to journalArticlepeer-review

  7. Программа для моделирования спектров инфракрасного поглощения и отражения на основе подхода Друде-Лоренца с учётом интерференции в твердотельных плёнках

    Володин, В. А., Иванов, А. Д., Бобков, М. Е., Афанасьев, М. Д. & Богомягков, Д. А., 7 Mar 2024, Роспатент - Федеральная служба по интеллектуальной собственности, Patent No. 2024615468, 1 Mar 2024, Priority date 1 Mar 2024, Priority No. 2024614301

    Research output: PatentSoftware registration

  8. Influence of substrate nitridation conditions and buffer layer structures on the crack-free GaN layers on silicon substrate grown by ammonia-assisted molecular beam epitaxy

    Malin, T., Maidebura, Y., Mansurov, V., Gavrilova, T., Gutakovsky, A., Vdovin, V., Ponomarev, S., Loshkarev, I., Osinnykh, I., Volodin, V., Milakhin, D. & Zhuravlev, K., 29 Feb 2024, In: Thin Solid Films. 791, 140246.

    Research output: Contribution to journalArticlepeer-review

  9. 2D diamond structures in multilayer graphene: Simulation and experimental observation

    Tomilin, L. F., Erohin, S. V., Nebogatikova, N. A., Antonova, I. V., Gutakovskii, A. K., Volodin, V. A., Korneeva, E. A. & Sorokin, P. B., 20 Feb 2024, In: Carbon. 220, 118832.

    Research output: Contribution to journalArticlepeer-review

  10. Фототок в PIN структурах на основе аморфного гидрогенизированного кремния с включениями нанослоёв германия

    Чэн, Ю., Камаев, Г. Н., Попов, А. А. & Володин, В. А., 2024, Двадцать восьмая Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых учёных (ВНКСФ-28) : Материалы конференции. Информационный бюллетень. Сборник тезисов докладов. В 1 т., Новосибирск, 01–06 апреля 2024 года. Арапов, А. Г. (ed.). Новосибирск: Ассоциация студентов-физиков и молодых учёных России, Vol. 1. p. 160-161 2 p.

    Research output: Chapter in Book/Report/Conference proceedingConference contributionResearchpeer-review

Previous 1 2 3 4 5 6 7 8 ...17 Next

ID: 3443008