Translated title of the contributionВлияние нанослоев Ge на эффект переключения сопротивления в структурах на основе аморфного гидрогенизированного кремния
Original languageEnglish
Article number23
Pages (from-to)134-139
Number of pages6
JournalSt. Petersburg State Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics
Volume18
Issue numberS1.1
DOIs
Publication statusPublished - May 2025

    Research areas

  • AMORPHOUS SILICON, GERMANIUM NANOLAYERS, MEMRISTOR, MULTILAYER STRUCTURE, P-I-N STRUCTURE

    OECD FOS+WOS

  • 1.03 PHYSICAL SCIENCES AND ASTRONOMY

ID: 71518657