1 - 6 из 6Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2026

  2. 1.534 µm Er electroluminescence in the RF magnetron deposited In2O3 : Er films on a Si substrate

    Feklistov, K. V., Lemzyakov, A. G., Abramkin, D. S., Svit, K. A., Pugachev, A. M., Volodin, V. A., Marin, D. V., Spesivsev, E. V., Azarov, I. A., Safronov, L. N., Kochubey, S. A., Ershov, K. S., Kapishnikov, A. V., Shmakov, A. N., Shklyaev, A. A. & Zhivodkov, Y. A., 30 июн. 2026, в: Modern Electronic Materials. 12, 2, стр. 95-102 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. 2025

  4. Влияние лучистого теплообмена на температуру роста при молекулярно-лучевой эпитаксии слоев HgCdTe

    Швец, В. А., Марин, Д. В., Азаров, И. А. & Якушев, М. В., 2025, в: Физика и техника полупроводников. 59, 3, стр. 153-159

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. 2024

  6. Charge transport mechanism in [GeOx](z)[SiO2](1-z) based MIS structures

    Yushkov, I. D., Gismatulin, A. A., Prosvirin, I. P., Kamaev, G. N., Marin, D. V., Vergnat, M. & Volodin, V. A., 9 дек. 2024, в: Applied Physics Letters. 125, 24, 242901.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Surface morphology analysis of CdTe buffer layers using ellipsometry and interference profilometry to create a technique for monitoring the growth of buffer layers

    Shvets, V. A., Marin, D. V., Kuznetsova, L. S., Azarov, I. A., Yakushev, M. V. & Rykhlitskii, S. V., 20 июл. 2024, в: Journal of Optical Technology (A Translation of Opticheskii Zhurnal). 91, 2, стр. 91-95 5 стр., 6.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Temperature Dependence of the Spectra of Optical Constants of CdTe in the Region of the Absorption Edge

    Shvets, V. A., Marin, D. V., Yakushev, M. V. & Rykhiitskii, S. V., апр. 2024, в: Optics and Spectroscopy. 132, 4, стр. 403-408 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. In situ Ellipsometric Control of Growth Processes of ZnTe and CdTe Buffer Layers in Technology of Molecular Beam Epitaxy of Mercury Cadmium Telluride

    Shvets, V. A., Marin, D. V., Yakushev, M. V. & Rykhlitskii, S. V., янв. 2024, в: Semiconductors. 58, 1, стр. 67-72 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

ID: 42209264