In situ Ellipsometric Control of Growth Processes of ZnTe and CdTe Buffer Layers in Technology of Molecular Beam Epitaxy of Mercury Cadmium Telluride › Обзор исследований

DOI

https://doi.org/10.1134/S1063782624010147
Конечная издательская версия

V. A. Shvets
D. V. Marin
M. V. Yakushev
S. V. Rykhlitskii

Язык оригинала	английский
Страницы (с-по)	67-72
Число страниц	6
Журнал	Semiconductors
Том	58
Номер выпуска	1
DOI	https://doi.org/10.1134/S1063782624010147
Состояние	Опубликовано - янв. 2024

Предметные области OECD FOS+WOS

1.03.UK ФИЗИКА КОНДЕНСИРОВАННОГО СОСТОЯНИЯ

Области исследований

CdTe, growth defects, in situ ellipsometric control, microrelief, molecular beam epitaxy

ID: 61182935