1 - 17 из 17Размер страницы: 100
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2026

  2. 1.534 µm Er electroluminescence in the RF magnetron deposited In2O3 : Er films on a Si substrate

    Feklistov, K. V., Lemzyakov, A. G., Abramkin, D. S., Svit, K. A., Pugachev, A. M., Volodin, V. A., Marin, D. V., Spesivsev, E. V., Azarov, I. A., Safronov, L. N., Kochubey, S. A., Ershov, K. S., Kapishnikov, A. V., Shmakov, A. N., Shklyaev, A. A. & Zhivodkov, Y. A., 30 июн. 2026, в: Modern Electronic Materials. 12, 2, стр. 95-102 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. 2024

  4. Nature of the Pits on the Lattice-Matched InAlAs Layer Surface Grown on the (001) InP Substrate

    Gulyaev, D. V., Abramkin, D. S., Dmitriev, D. V., Toropov, A. I., Kolosovsky, E. A., Ponomarev, S. A., Kurus, N. N., Milekhin, I. A. & Zhuravlev, K. S., 18 нояб. 2024, в: Nanomaterials. 14, 22, 1842.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. 2023

  6. Structural Properties and Energy Spectrum of Novel GaSb/AlP Self-Assembled Quantum Dots

    Abramkin, D. S., Petrushkov, M. O., Bogomolov, D. B., Emelyanov, E. A., Yesin, M. Y., Vasev, A. V., Bloshkin, A. A., Koptev, E. S., Putyato, M. A., Atuchin, V. V. & Preobrazhenskii, V. V., 28 февр. 2023, в: Nanomaterials. 13, 5, 910.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. 2022

  8. Dislocation Filter Based on LT-GaAs Layers for Monolithic GaAs/Si Integration

    Petrushkov, M. O., Abramkin, D. S., Emelyanov, E. A., Putyato, M. A., Komkov, O. S., Firsov, D. D., Vasev, A. V., Yesin, M. Y., Bakarov, A. K., Loshkarev, I. D., Gutakovskii, A. K., Atuchin, V. V. & Preobrazhenskii, V. V., 14 дек. 2022, в: Nanomaterials. 12, 24, 4449.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Novel InGaSb/AlP Quantum Dots for Non-Volatile Memories

    Abramkin, D. S. & Atuchin, V. V., нояб. 2022, в: Nanomaterials. 12, 21, 3794.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. 2021

  11. Formation of InAs/GaP Quantum-Well Heterostructures on Silicon Substrates by Molecular-Beam Epitaxy

    Abramkin, D. S., Petrushkov, M. O., Emelyanov, E. A., Nenashev, A. V., Yesin, M. Y., Vasev, A. V., Putyato, M. A., Bogomolov, D. B., Gutakovskiy, A. K. & Preobrazhenskiy, V. V., февр. 2021, в: Semiconductors. 55, 2, стр. 194-201 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  12. 2020

  13. Effect of the Crystallographic Orientation of GaSb Films on Their Structural Properties during MBE Heteroepitaxy on Vicinal Si(001) Substrates

    Petrushkov, M. O., Abramkin, D. S., Emelyanov, E. A., Putyato, M. A., Vasev, A. V., Loshkarev, D. I., Yesin, M. Y., Komkov, O. S., Firsov, D. D. & Preobrazhenskii, V. V., дек. 2020, в: Semiconductors. 54, 12, стр. 1548-1554 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  14. Nanowired structure, optical properties and conduction band offset of RF magnetron-deposited n-Si/In2O3:Er films

    Feklistov, K. V., Lemzyakov, A. G., Prosvirin, I. P., Gismatulin, A. A., Shklyaev, A. A., Zhivodkov, Y. A., Krivyakin, G., Komonov, A. I., Kozhukhov, A. S., Spesivsev, E. V., Gulyaev, D. V., Abramkin, D. S., Pugachev, A. M., Esaev, D. G. & Sidorov, G. Y., дек. 2020, в: Materials Research Express. 7, 12, 11 стр., 125903.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  15. 2019

  16. GaAs/GaP Quantum-Well Heterostructures Grown on Si Substrates

    Abramkin, D. S., Petrushkov, M. O., Putyato, M. A., Semyagin, B. R., Emelyanov, E. A., Preobrazhenskii, V. V., Gutakovskii, A. K. & Shamirzaev, T. S., 1 сент. 2019, в: Semiconductors. 53, 9, стр. 1143-1147 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  17. Type-I Indirect-Gap Semiconductor Heterostructures on (110) Substrates

    Abramkin, D. S. & Shamirzaev, T. S., 1 мая 2019, в: Semiconductors. 53, 5, стр. 703-710 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  18. 2018

  19. Heterostructures with InAs/AlAs Quantum Wells and Quantum Dots Grown on GaAs/Si Hybrid Substrates

    Abramkin, D. S., Petrushkov, M. O., Putyato, M. A., Semyagin, B. R. & Shamirzaev, T. S., 1 нояб. 2018, в: Semiconductors. 52, 11, стр. 1484-1490 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  20. Spinodal Decomposition in InSb/AlAs Heterostructures

    Abramkin, D. S., Bakarov, A. K., Gutakovskii, A. K. & Shamirzaev, T. S., 1 нояб. 2018, в: Semiconductors. 52, 11, стр. 1392-1397 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  21. Heterostructures with diffused interfaces: Luminescent technique for ascertainment of band alignment type

    Abramkin, D. S., Gutakovskii, A. K. & Shamirzaev, T. S., 21 мар. 2018, в: Journal of Applied Physics. 123, 11, 11 стр., 115701.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  22. Influence of a Low-Temperature GaAs Dislocation Filter on the Perfection of GaAs/Si Layers

    Abramkin, D. S., Petrushkov, M. O., Emel’yanov, E. A., Putyato, M. A., Semyagin, B. R., Vasev, A. V., Esin, M. Y., Loshkarev, I. D., Gutakovskii, A. K., Preobrazhenskii, V. V. & Shamirzaev, T. S., 1 мар. 2018, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 54, 2, стр. 181-186 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  23. 2017

  24. Luminescence of a near-surface GaAs/AlAs heterojunction in AlAs-based heterostructures

    Nikiforov, V. E., Abramkin, D. S. & Shamirzaev, T. S., 1 нояб. 2017, в: Semiconductors. 51, 11, стр. 1513-1516 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  25. Determining the structure of energy in heterostructures with diffuse interfaces

    Abramkin, D. S., Bakarov, A. K., Kolotovkina, D. A., Gutakovskii, A. K. & Shamirzaev, T. S., 1 сент. 2017, в: Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 81, 9, стр. 1052-1057 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  26. Formation of low-dimensional structures in the InSb/AlAs heterosystem

    Abramkin, D. S., Bakarov, A. K., Putyato, M. A., Emelyanov, E. A., Kolotovkina, D. A., Gutakovskii, A. K. & Shamirzaev, T. S., 1 сент. 2017, в: Semiconductors. 51, 9, стр. 1233-1239 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

ID: 3443736